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HGTG30N120CN
典型性能曲线
600
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 960V
700
500
t
fI
，下降时间（ NS ）
600
500
400
300
200
200
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
100
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V和15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V和15V
除非另有规定编
（续）
800
R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 960V
400
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
300
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
500
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 20V
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
14
12
10
8
I
G（ REF ）
= 2毫安，R
L
= 20, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 1200V
400
300
T
C
= 150
o
C
200
V
CE
= 400V
6
4
2
0
0
50
100
150
V
CE
= 800V
100
0
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
200
250
300
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
10
C
IES
8
C，电容（pF ）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
频率= 1MHz的
40
占空比< 0.5 ％ ，T
C
= 110
o
C
35脉冲宽度= 250μs的
V
GE
= 15V
30
25
20
V
GE
= 10V
15
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
4
2
C
OES
C
水库
0
5
10
15
20
25
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图15.电容VS集电极到发射极
电压
图16.集电极到发射极导通电压
2001仙童半导体公司
HGTG30N120CN版本B
