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HGTG30N120CN
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG30N120CN
1200
75
40
240
±
20
±
30
在150A 1200V
500
4.0
135
-55到150
260
8
15
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
正向电压雪崩能量（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注3） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注3） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. I
CE
= 30A ，L = 400
H，T
J
= 125
o
C.
3. V
CE （ PK ）
= 960V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 3
.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250
A，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
15
-
-
-
-
-
6.0
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
600
-
2.1
2.9
6.6
-
-
9.6
260
330
24
21
220
180
2.2
2.8
4.2
最大
-
-
250
-
8
2.4
3.5
-
±
250
-
-
325
420
30
26
260
240
-
3.5
4.8
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注4 ）
开启能量（注4 ）
关断能量（注5 ）
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
I
C
= 30,
V
GE
= 15V
V
GE
=
±
20V
I
C
= 250
A，V
CE
= V
GE
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3
,
V
GE
= 15V,
L = 200μH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 30A ，V
CE
= 600V
I
C
= 30A,
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 30A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图18 ）
2001仙童半导体公司
HGTG30N120CN版本B
