乐山无线电公司， LTD 。
N沟道功率MOSFET
LBSS123LT1
特征
无铅封装。
LBSS123LT1
3
1
2
设备标记和订购信息
设备
LBSS123LT1
LBSS123LT1G
LBSS123LT3
LBSS123LT3G
记号
SA
SA
（无铅）
SA
SA
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
SOT-23
漏
3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
s)
漏电流
连续（注1 ）
脉冲（注2 ）
符号
VDSS
VGS
VGSM
ID
IDM
价值
100
±20
±40
0.17
0.68
单位
VDC
VDC
VPK
ADC
1
门
2
来源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5
董事会（注3 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到
环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
qJA
TJ ， TSTG
556
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
3， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
LBSS123LT1–1/4
