【乐山无线电公司， LTD 。N沟道功率MOSFETLBSS123LT1特征无铅封装。LBSS123L】,IC型号LBSS123LT1,LBSS123LT1 PDF资料,LBSS123LT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

N沟道功率MOSFET

LBSS123LT1

特征

无铅封装。

LBSS123LT1

设备标记和订购信息

设备

LBSS123LT1

LBSS123LT1G

LBSS123LT3

LBSS123LT3G

记号

（无铅）

航运

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

SOT-23

漏

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

漏电流

连续（注1 ）

脉冲（注2 ）

符号

VDSS

VGS

VGSM

IDM

价值

100

±20

±40

0.17

0.68

单位

VDC

VPK

ADC

门

来源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5

董事会（注3 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到

环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

qJA

TJ ， TSTG

556

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

LBSS123LT1–1/4

乐山无线电公司， LTD 。

LBSS123LT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

（VGS = 0时， n = 250

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

（ VGS = 0 ， VDS = 100伏） TJ = 25°C

TJ = 125°C

门体漏电流

（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）

V（ BR ） DSS

IDSS

–

IGSS

–

NADC

100

–

VDC

μAdc

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压

（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）

静态漏源导通电阻

（ VGS = 10 VDC ， ID = 100 MADC ）

正向跨导

（ VDS = 25伏直流电， ID = 100 MADC ）

VGS （ TH）

RDS （ ON）

政府飞行服务队

0.8

–

5.0

–

2.8

6.0

–

VDC

毫姆欧

动态特性

输入电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

输出电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

–

9.0

4.0

–

开关特性（ 4 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

（ VCC = 30 V直流， IC = 0.28 ADC ，

VGS = 10 VDC ， RGS = 50

)

TD （上）

TD （关闭）

–

反向二极管

二极管正向导通电压

（ID = 0.34 ADC ， VGS = 0伏）

4.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

VSD

–

1.3

LBSS123LT1–2/4

乐山无线电公司， LTD 。

LBSS123LT1

典型电气特性

2.0

1.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

VDS ， DRAN源极电压（伏）

TA = 25°C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

VGS = 10 V

9.0

1.0

VDS = 10V

0.8

0.6

0.4

0.2

-55°C

125°C

25°C

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

VGS ，门源极电压（伏）

9.0

图1.欧姆区

图2.传输特性

R DS（ON ），静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VGS = 10 V

ID = 200毫安

VGS （ th）时，阈值电压（标准化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VDS = VGS

ID = 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

LBSS123LT1–3/4

乐山无线电公司， LTD 。

LBSS123LT1

SOT-23

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

B·S

暗淡

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0350

0.0440

0.0150

0.0200

0.0701

0.0807

0.0005

0.0040

0.0034

0.0070

0.0140

0.0285

0.0350

0.0401

0.0830

0.1039

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.89

1.11

0.37

0.50

1.78

2.04

0.013

0.100

0.085

0.177

0.35

0.69

0.89

1.02

2.10

2.64

0.45

0.60

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

0.037

0.95

0.037

0.95

0.079

2.0

0.035

0.9

0.031

0.8

英寸

LBSS123LT1–4/4

乐山无线电公司， LTD 。

N沟道功率MOSFET

LBSS123LT1

特征

无铅封装。

LBSS123LT1

设备标记和订购信息

设备

LBSS123LT1

LBSS123LT1G

LBSS123LT3

LBSS123LT3G

记号

（无铅）

航运

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

SOT-23

漏

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

漏电流

连续（注1 ）

脉冲（注2 ）

符号

VDSS

VGS

VGSM

IDM

价值

100

±20

±40

0.17

0.68

单位

VDC

VPK

ADC

门

来源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5

董事会（注3 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到

环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

qJA

TJ ， TSTG

556

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

LBSS123LT1–1/4

乐山无线电公司， LTD 。

LBSS123LT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

（VGS = 0时， n = 250

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

（ VGS = 0 ， VDS = 100伏） TJ = 25°C

TJ = 125°C

门体漏电流

（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）

V（ BR ） DSS

IDSS

–

IGSS

–

NADC

100

–

VDC

μAdc

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压

（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）

静态漏源导通电阻

（ VGS = 10 VDC ， ID = 100 MADC ）

正向跨导

（ VDS = 25伏直流电， ID = 100 MADC ）

VGS （ TH）

RDS （ ON）

政府飞行服务队

0.8

–

5.0

–

2.8

6.0

–

VDC

毫姆欧

动态特性

输入电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

输出电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

–

9.0

4.0

–

开关特性（ 4 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

（ VCC = 30 V直流， IC = 0.28 ADC ，

VGS = 10 VDC ， RGS = 50

)

TD （上）

TD （关闭）

–

反向二极管

二极管正向导通电压

（ID = 0.34 ADC ， VGS = 0伏）

4.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

VSD

–

1.3

LBSS123LT1–2/4

乐山无线电公司， LTD 。

LBSS123LT1

典型电气特性

2.0

1.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

VDS ， DRAN源极电压（伏）

TA = 25°C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

VGS = 10 V

9.0

1.0

VDS = 10V

0.8

0.6

0.4

0.2

-55°C

125°C

25°C

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

VGS ，门源极电压（伏）

9.0

图1.欧姆区

图2.传输特性

R DS（ON ），静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VGS = 10 V

ID = 200毫安

VGS （ th）时，阈值电压（标准化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VDS = VGS

ID = 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

LBSS123LT1–3/4

乐山无线电公司， LTD 。

LBSS123LT1

SOT-23

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

B·S

暗淡

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0350

0.0440

0.0150

0.0200

0.0701

0.0807

0.0005

0.0040

0.0034

0.0070

0.0140

0.0285

0.0350

0.0401

0.0830

0.1039

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.89

1.11

0.37

0.50

1.78

2.04

0.013

0.100

0.085

0.177

0.35

0.69

0.89

1.02

2.10

2.64

0.45

0.60

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

0.037

0.95

0.037

0.95

0.079

2.0

0.035

0.9

0.031

0.8

英寸

LBSS123LT1–4/4