C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S

有源电路淬火

直到C30902S或C30921S被充电的概率

检测另一来电光电子比较

低。为了避免当在操作过度的死区时间

大电压VBR以上，同比"actively quenched"电路

被使用。该电路暂时下降的偏置电压为一

一微秒以下的检测分数

雪崩放电。这个延迟时间可以让所有的电子

并收集孔，包括那些最

暂时"trapped"在硅中的各种杂质的站点。

当较高的电压再施加，有不

在耗尽区中的电子触发另一

雪崩或闭锁二极管。现在再充电可以很

快速通过一个小负载电阻。可选地，所述偏压

可以维持电压而负载电阻被替换

通过该保持截止很短的时间后的一个晶体管

雪崩，然后打开足够长的时间，以

充值光电二极管。

暗电流

两者C30902S和C30921S已选择为具有

低暗计数率。在冷却到-25 ℃，可以通过一个因子降低这一

50 ，由于暗计数率对温度的依赖关系

是指数。

用电压跟随同一曲线中的暗计数增加

作为光电子探测概率，直到电压哪里

后脉冲负责反馈机制，

极大地增加了暗计数率。这个最大

电压电路依赖性，而且比不保证其他

值3，页上列出在大多数情况下，为300的延迟时间

NS ，二极管，可以有效地在VR使用到VBR + 25V 。

该C30902S和C30921S不应该是正向偏置，或者，

如果不带偏见，暴露在强烈的光照。这些

条件下导致显着增强的暗计数，该计数

需要高达24小时，返回到其标称值。

之后，脉动

在经过脉冲是如下的雪崩击穿脉冲

一个光子所产生的脉冲，并且由它引起的。在后脉冲

通常由大约108载波中的一个引起该

因为经过第一雪崩的通过二极管。这

电子或空穴被捕获，并捕获在一些杂质站点中

硅中，如前面所述。当这种电荷载体

解放出来，通常在小于100纳秒，但有时几个

毫秒之后，它可能会再掀雪崩。该

一个后脉冲发生多于一个的概率

微秒后通常是小于2％ ，在2伏以上

VBR，使用图9所示的电路之后的脉冲

增加与偏置电压。如果有必要减少离职后

个脉冲，则建议1保持VR- VBR低，使用

积极淬电路具有长延时石灰（参见图

12 ）或被动猝灭电路具有长的RLC常数。

寄生电容，还必须最小化。电子门控

该信号可以在某些情况下被执行。离职后应

脉冲是一种严重的并发症在一个具体应用中，

下面VBR操作具有良好的放大器可能

考虑。

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