C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
在盖革模式图10.载重线的C30921S
图11.典型的暗计数与温度的关系在5％光子（波长830nm ）
检测效率
下一步为100 ns与延时时间内图12的机会后，脉冲
一个积极淬火电路。 （典型的C30902S ， C30921S在VBR + 25 ）
改性TO-18封装。
注意：光学距离被定义为从所述硅表面的距离
芯片的窗口的前表面。
图13.外形尺寸 - C30902E ， C30902S ， C30921E ， C30921S
图14.切角的C30921E ， C30921S的
尺寸以毫米为单位。尺寸括号内为英寸。
