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MB93461
（2） SDRAM接口
[ 360兆赫： V
DE
=
3.3 V
±
0.15 V, V
DD
=
1.3 V
±
0.065 V, V
SS
=
0 V ，TA
=
0
°C
to
+
70
°C]
[400兆赫： V
DE
=
3.3 V
±
0.15 V, V
DD
=
1.4 V
±
0.07 V, V
SS
=
0 V ，TA
=
0
°C
to
+
70
°C]
360兆赫
400兆赫
参考
参数
单位
信号
民
最大
民
最大
DCLKFB周期（T
DCLKFB
)
DCLKFB时候
DCLKFB
输入
DCLKFB低的时间
DCLKFB上升时间
DCLKFB下降时间
DBA [1：0 ]
DA [ 12 ： 0 ]
DRAS ＃
SDRAM
I / F的输出
DCAS ＃
DWE ＃
DCKE
7.5*
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
20*
1.0
1.0
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
7.5*
2.5
2.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
17.5*
1.0
1.0
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
项
DCS ＃[ 3 ：0]输出有效延迟时间DCLKFB上升
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出有效延迟时间DCLKFB崛起
输出保持时间
输入建立时间
输入保持时间
DCLKFB崛起
DCLKFB崛起
DCLKFB崛起
DDQM [0：3 ]输出有效延迟时间DCLKFB上升
DDQ [31：0 ]
SDRAM
I / F输入
DDQ [31：0 ]
*：该值是通过CMODE决定。
注意事项：
各参数是温度和电源电压，除非另有指定的范围内有效。
指出。
各电压值是基于与GND （Ⅴ
SS
=
0.0 V）的电平。定时测定基准点是
1.5伏时，输入电平为0.4伏到2.4伏，输入上升时间和下降时间是1.5纳秒或更小，除非另有
指出。
外部输出负载电容为30 pF的，除非另有说明。
输入到DCLKFB和从DCLK的输出的频率是由输入频率来决定
CLKIN ，并设置一个CMODE的[3： 0]引脚。请参考“ 5 。有关详细信息，时钟设置“ 。
格局
HOLD
有效
HOLD
DCLKFB
输出引脚
输入和 -
输出引脚
47
