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第20章128 KB的闪存模块（ S12FTS128K1V1 ）
20.4.1.3.4
整体擦除命令
整体擦除操作将使用嵌入算法擦除闪存阵列中的所有地址。
一个例子溢流执行擦除操作显示在
图20-25 。
整体擦除命令
写顺序如下：
1.写入到闪存阵列的地址，开始为大众擦除命令的命令写序。
的地址和写入数据将被忽略。
2.编写质量擦除命令， ×41 ，到FCMD寄存器。
3.清除通过写1到CBEIF的CBEIF FL公司在FSTAT寄存器启动整体擦除
命令。
如果闪存阵列将被擦除包含任何保护区，在FSTAT寄存器中的PVIOL FL公司将置
大众擦除命令将不会启动。一旦整体擦除命令已成功启动，
在FSTAT寄存器中的擦除操作后会将CCIF FL公司已完成，除非新
命令写序列缓存。
飞思卡尔半导体公司
MC9S12Q128
修订版1.09
593
