位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1128页 > MC3S12Q32CFA16 > MC3S12Q32CFA16 PDF资料 > MC3S12Q32CFA16 PDF资料3第589页
第20章128 KB的闪存模块（ S12FTS128K1V1 ）
20.4.1.3.2
程序命令
该方案操作将使用嵌入式程序闪存阵列在先前删除字
算法。
一个例子溢流来执行该程序的操作示于
图20-23 。
该计划的命令写
序列如下：
1.写入到闪存阵列地址开始的程序命令的命令写序。该
写入的数据将被编程到写入闪存阵列的地址。
2.编写程序指令， 0x20的，到FCMD寄存器。
通过写1到CBEIF启动程序3.清除CBEIF FL公司在FSTAT寄存器
命令。
如果一个单词要被编程为在闪存阵列的受保护区域中， PVIOL FL股份公司在FSTAT寄存器
将设置和程序命令将不会启动。一旦程序命令已成功推出，
在FSTAT寄存器中的CCIF FL公司将设置后，程序操作完成后，除非新
命令写序列缓存。通过执行新的程序命令写入顺序
在FSTAT寄存器中的CBEIF佛罗里达州股份后连续字已定，最多快55％的编程
每个字的时间可以比等待CCIF FL AG每个程序后设置有效地实现
操作。
飞思卡尔半导体公司
MC9S12Q128
修订版1.09
589
