奥斯汀半导体公司
AS8S512K32
& AS8S512K32A
SRAM
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
C<T
A
＆ LT ; 125
o
C和-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
RC
AA
t
ACS
t
OH
t
LZCS
t
HZCS
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
t
民
17
-17
最大
-20
最小最大
20
-25
最小最大
25
-35
最小最大
35
-45
民
45
-55
最大
民
55
45
45
55
55
2
2
20
20
20
20
0
20
20
55
25
25
2
1
25
25
20
0
2
15
15
最大
单位备注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
17
17
2
2
9
9
0
12
17
15
15
2
1
15
15
12
0
2
9
20
15
15
2
1
15
15
10
0
2
0
2
2
20
20
2
2
10
10
0
12
25
17
17
2
1
17
17
12
0
2
11
25
25
2
2
12
12
0
12
35
20
20
2
1
20
20
15
0
2
13
35
35
2
2
15
15
0
15
45
25
25
2
1
25
25
20
0
2
15
4,6,7
4,6,7
4,6
4,6
WC
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
WP2
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
t
t
4,6,7
4,6,7
AS8S512K32 & AS8S512K32A
第3.1版12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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