奥斯汀半导体公司
512K ×32的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
AS8S512K32
& AS8S512K32A
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP （ Q）
军事SMD引脚选项
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
SRAM
SMD 5962-94611 （军引脚）
MIL-STD-883
操作单5V电源
高速： 17 ， 20 ， 25和为35ns
建于去耦电容的低噪声
组织为512Kx32 ，可选择字节
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
未来产品
3.3V电源
15 ns的超高速
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
GND
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
特点
选项
标志
XT
IT
定时
17ns
20ns
25ns
35ns
45ns
55ns
包
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列
低功耗数据保持模式
引脚
军事
广告
-17
-20
-25
-35
-45
-55
Q
P
L
No.702
No.904
（无指示）
A
CS
CS
概述
奥斯汀半导体公司AS8S512K32和
AS8S512K32A是16兆位的CMOS SRAM模块组织成
512Kx32位。这些器件实现高速接入，低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。
这种军用温度级产品非常适合
军事和空间应用。
CS
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS8S512K32 & AS8S512K32A
第3.1版12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
I / O 31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VCC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
I / O 0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
I/O17
I/O18
I/O19
VSS
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
VCC
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
VSS
I/O28
I/O29
I/O30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
I / O 16
A18
A17
CS4\
CS3\
CS2\
CS1\
NC
VCC
NC
NC
OE \\
WE \\
A16
A15
A14
I / O 15
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
68铅CQFP
商业引脚选项（ A）
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE \\
CS2\
A17
WE2\
WE3\
WE4\
A18
NC
NC
I / O 14
I / O 13
I / O 12
VSS
I / O 11
I / O 10
I / O 9
I / O 8
VCC
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
VSS
I / O 3
I / O 2
I / O 1
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O 16
I / O 17
I / O 18
I / O 19
I / O 20
I / O 21
I / O 22
I / O 23
GND
I / O 24
I / O 25
I / O 26
I / O 27
I / O 28
I / O 29
I / O 30
I / O 31
66引脚PGA （ P）
军事SMD引脚
\
CS
