ZXMP10A13F
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
(1)(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
-100
-1.0
100
-2.0
-4.0
1
1.45
1.2
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.6A
V
GS
= -6V ，我
D
= -0.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -0.6A
正向跨导
动态
(3)
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
141
13.1
10.8
pF
pF
pF
V
DS
= -50V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.6
2.1
5.9
3.3
1.8
3.5
0.6
1.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -50V, V
GS
= -5V
I
D
= -0.6A
V
DS
= -50V, V
GS
= -10V
I
D
= -0.6A
V
DD
= -50V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 , V
GS
= -10V
-0.85
29
31
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.75A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.9A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年3月
半导体
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