ZXMP10A13F
100V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= - 100V ，R
DS
(
on
)= 1
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
; I
D
= - 0.7A
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP10A13FTA
ZXMP10A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000units
引脚
器件标识
7P1
第1期 - 2005年3月
1
半导体
ZXMP10A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
(b)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-100
±20
-0.7
-0.5
-0.6
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
(a)
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
-3.1
-1.1
-3.1
625
5
806
6.4
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第1期 - 2005年3月
半导体
2
ZXMP10A13F
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
(1)(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
-100
-1.0
100
-2.0
-4.0
1
1.45
1.2
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.6A
V
GS
= -6V ，我
D
= -0.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -0.6A
正向跨导
动态
(3)
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
141
13.1
10.8
pF
pF
pF
V
DS
= -50V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.6
2.1
5.9
3.3
1.8
3.5
0.6
1.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -50V, V
GS
= -5V
I
D
= -0.6A
V
DS
= -50V, V
GS
= -10V
I
D
= -0.6A
V
DD
= -50V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 , V
GS
= -10V
-0.85
29
31
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.75A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.9A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年3月
半导体
4
ZXMP10A13F
100V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= - 100V ，R
DS
(
on
)= 1
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
; I
D
= - 0.7A
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP10A13FTA
ZXMP10A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000units
引脚
器件标识
7P1
第1期 - 2005年3月
1
半导体
ZXMP10A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
(b)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-100
±20
-0.7
-0.5
-0.6
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
(a)
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
-3.1
-1.1
-3.1
625
5
806
6.4
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第1期 - 2005年3月
半导体
2
ZXMP10A13F
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
(1)(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
-100
-1.0
100
-2.0
-4.0
1
1.45
1.2
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.6A
V
GS
= -6V ，我
D
= -0.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -0.6A
正向跨导
动态
(3)
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
141
13.1
10.8
pF
pF
pF
V
DS
= -50V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.6
2.1
5.9
3.3
1.8
3.5
0.6
1.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -50V, V
GS
= -5V
I
D
= -0.6A
V
DS
= -50V, V
GS
= -10V
I
D
= -0.6A
V
DD
= -50V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 , V
GS
= -10V
-0.85
29
31
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.75A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.9A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年3月
半导体
4
QQ：2881677436 复制
