飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流2.0毫安
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
2- Kbit的组织为256的非易失性存储
×
8-bits
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力
- >500 K E特征/ W-周期在T
AMB
= 22
°C
40年非易失性数据保留时间（典型值）。
引脚和地址兼容
- PCX8570 ， PCF8571 ， PCF8572和PCF8581
- PCX8494X -2， PCX8598X -2 - 家庭。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流擦/写
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDSB
电源电流待机
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
条件
描述
PCX8582X - 2系列
该PCX8582X -2是一个2千比特（256
×
8比特）的浮置栅极
电可擦除可编程只读存储器
（ EEPROM）中。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性比常规
EEPROM存储器。
功耗很低，由于全CMOS
技术的使用。产生编程电压
片上，用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCX8582X -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1， A2）。
擦/写周期的时序进行
在内部，因此无需外部元件。 7针
（PTC）必须连接在V
DD
或保持开路。
有使用外部时钟来计时的一个选项
长度的擦/写周期。
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
3.5
10
V
单位
A
A
mA
mA
A
A
1994年12月
2
