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集成电路
数据表
PCX8582X - 2系列
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
产品speci fi cation
取代1992年2月数据
在集成电路, IC12文件
1994年12月
飞利浦半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流2.0毫安
- 最大待机电流10
A
(在6.0 V)
典型的4
A
2- Kbit的组织为256的非易失性存储
×
8-bits
单电源与全面运作下,以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作
- 字节写模式
8字节页写模式
(最大限度地降低每字节写入总时间)
读操作
连续读
- 随机读取
内部定时器写(无需外部元件)
上电复位
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力
- >500 K E特征/ W-周期在T
AMB
= 22
°C
40年非易失性数据保留时间(典型值)。
引脚和地址兼容
- PCX8570 , PCF8571 , PCF8572和PCF8581
- PCX8494X -2, PCX8598X -2 - 家庭。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流擦/写
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDSB
电源电流待机
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
条件
描述
PCX8582X - 2系列
该PCX8582X -2是一个2千比特(256
×
8比特)的浮置栅极
电可擦除可编程只读存储器
( EEPROM)中。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的,以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性比常规
EEPROM存储器。
功耗很低,由于全CMOS
技术的使用。产生编程电压
片上,用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线,采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCX8582X -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端( A0,A1, A2)。
擦/写周期的时序进行
在内部,因此无需外部元件。 7针
(PTC)必须连接在V
DD
或保持开路。
有使用外部时钟来计时的一个选项
长度的擦/写周期。
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
3.5
10
V
单位
A
A
mA
mA
A
A
1994年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
订购信息
TYPE
PCF8582C-2P
PCD8582D-2P
PCF8582E-2P
PCA8582F-2P
PCF8582C-2T
PCD8582D-2T
PCF8582E-2T
PCA8582F-2T
设备选择
表1
设备选择的代码
器件代码
b71
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
SO8
塑料小外形
包;
8线索;体宽3.9毫米
SOT96-1
名字
DIP8
描述
塑料双列直插式封装;
8引线( 300万)
VERSION
SOT97-1
PCX8582X - 2系列
温度(℃)
分钟。
40
25
40
40
40
25
40
40
马克斯。
+85
+70
+85
+125
+85
+70
+85
+125
电压(V)
分钟。
2.5
3.0
4.5
4.5
2.5
3.0
4.5
4.5
马克斯。
6.0
6.0
5.5
5.5
6.0
6.0
5.5
5.5
选择
设备
1. B7 MSB首先发送。
表2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
耐力和数据保留的保证
设备
耐力东/西单车
500000
(1)
数据保存年
40
PCF8582C -2; PCA8582F - 2
1.在公布此数据表中的统计历史上还没有足够的时间,以保证10亿东/西
循环性能对这些类型。
1994年12月
3
PCX8582X - 2系列
产品speci fi cation
图1框图。
手册,全页宽
1994年12月
输入
滤波器
I
2
- 总线控制逻辑
VDD
框图
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
n
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
注册
分频器
( 128)
地址
开关
8
EEPROM
注册
字节
LATCH
( 8字节)
地址
指针
4
测试模式解码器
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
PCX8582X-2
电源 - 上电复位
振荡器
4
MBC794
VSS
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
钉扎
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
PTC
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
地址输入0
地址输入1
地址输入2
负电源电压
串行数据输入/输出(I
2
C总线)
串行时钟输入(我
2
C总线)
编程时间控制输出
正电源电压
A1
A2
VSS
2
手册, halfpage
PCX8582X - 2系列
A0
1
8
7
PCX8582X-2
6
5
MBC792
V DD
PTC
SCL
SDA
3
4
图2引脚配置。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC134 ) 。
符号
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
电源电压
在任何输入引脚电压
目前对任何输入引脚
输出电流
储存温度
工作环境温度
PCF8582C -2; PCF8582E - 2
PCD8582D-2
PCA8582F-2
40
25
40
+85
+70
+125
°C
°C
°C
|Z
I
| > 500
参数
条件
分钟。
0.3
V
SS
0.8
65
马克斯。
+7.0
V
DD
+ 0.8
1
10
+150
V
V
mA
mA
°C
单位
1994年12月
5
集成电路
数据表
PCX8582X - 2系列
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
产品speci fi cation
取代1992年2月数据
在集成电路, IC12文件
1994年12月
飞利浦半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流2.0毫安
- 最大待机电流10
A
(在6.0 V)
典型的4
A
2- Kbit的组织为256的非易失性存储
×
8-bits
单电源与全面运作下,以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作
- 字节写模式
8字节页写模式
(最大限度地降低每字节写入总时间)
读操作
连续读
- 随机读取
内部定时器写(无需外部元件)
上电复位
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力
- >500 K E特征/ W-周期在T
AMB
= 22
°C
40年非易失性数据保留时间(典型值)。
引脚和地址兼容
- PCX8570 , PCF8571 , PCF8572和PCF8581
- PCX8494X -2, PCX8598X -2 - 家庭。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流擦/写
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDSB
电源电流待机
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
条件
描述
PCX8582X - 2系列
该PCX8582X -2是一个2千比特(256
×
8比特)的浮置栅极
电可擦除可编程只读存储器
( EEPROM)中。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的,以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性比常规
EEPROM存储器。
功耗很低,由于全CMOS
技术的使用。产生编程电压
片上,用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线,采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCX8582X -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端( A0,A1, A2)。
擦/写周期的时序进行
在内部,因此无需外部元件。 7针
(PTC)必须连接在V
DD
或保持开路。
有使用外部时钟来计时的一个选项
长度的擦/写周期。
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
3.5
10
V
单位
A
A
mA
mA
A
A
1994年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
订购信息
TYPE
PCF8582C-2P
PCD8582D-2P
PCF8582E-2P
PCA8582F-2P
PCF8582C-2T
PCD8582D-2T
PCF8582E-2T
PCA8582F-2T
设备选择
表1
设备选择的代码
器件代码
b71
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
SO8
塑料小外形
包;
8线索;体宽3.9毫米
SOT96-1
名字
DIP8
描述
塑料双列直插式封装;
8引线( 300万)
VERSION
SOT97-1
PCX8582X - 2系列
温度(℃)
分钟。
40
25
40
40
40
25
40
40
马克斯。
+85
+70
+85
+125
+85
+70
+85
+125
电压(V)
分钟。
2.5
3.0
4.5
4.5
2.5
3.0
4.5
4.5
马克斯。
6.0
6.0
5.5
5.5
6.0
6.0
5.5
5.5
选择
设备
1. B7 MSB首先发送。
表2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
耐力和数据保留的保证
设备
耐力东/西单车
500000
(1)
数据保存年
40
PCF8582C -2; PCA8582F - 2
1.在公布此数据表中的统计历史上还没有足够的时间,以保证10亿东/西
循环性能对这些类型。
1994年12月
3
PCX8582X - 2系列
产品speci fi cation
图1框图。
手册,全页宽
1994年12月
输入
滤波器
I
2
- 总线控制逻辑
VDD
框图
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
n
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
注册
分频器
( 128)
地址
开关
8
EEPROM
注册
字节
LATCH
( 8字节)
地址
指针
4
测试模式解码器
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
PCX8582X-2
电源 - 上电复位
振荡器
4
MBC794
VSS
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
钉扎
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
PTC
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
地址输入0
地址输入1
地址输入2
负电源电压
串行数据输入/输出(I
2
C总线)
串行时钟输入(我
2
C总线)
编程时间控制输出
正电源电压
A1
A2
VSS
2
手册, halfpage
PCX8582X - 2系列
A0
1
8
7
PCX8582X-2
6
5
MBC792
V DD
PTC
SCL
SDA
3
4
图2引脚配置。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC134 ) 。
符号
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
电源电压
在任何输入引脚电压
目前对任何输入引脚
输出电流
储存温度
工作环境温度
PCF8582C -2; PCF8582E - 2
PCD8582D-2
PCA8582F-2
40
25
40
+85
+70
+125
°C
°C
°C
|Z
I
| > 500
参数
条件
分钟。
0.3
V
SS
0.8
65
马克斯。
+7.0
V
DD
+ 0.8
1
10
+150
V
V
mA
mA
°C
单位
1994年12月
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PCA8582F-2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    PCA8582F-2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
PCA8582F-2
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