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TS12A4514 ， TS12A4515
,
低电压，低导通电阻
SPST CMOS模拟开关
SCDS193B - 2006年8月 - 修订2007年3月
应用信息
电源注意事项
该TS12A4514 / TS12A4515施工是典型最CMOS模拟开关，但它们有只
两个电源引脚： V
+
和GND 。 V
+
和GND驱动内部CMOS开关和设置它们的模拟电压的限制。
反向ESD保护二极管内部连接每个模拟信号引脚和两个V之间
+
和GND 。
如果有模拟信号超过V其中一个二极管的导通
+
或GND 。
几乎所有的模拟漏电流来自于ESD二极管V
+
或GND 。虽然ESD二极管上
一个给定的信号管脚是相同的，因此，相当良好的平衡，它们是反向偏置的方式不同。每间
通过任一V偏置
+
或GND和模拟信号。这意味着它们的泄漏将随信号而改变。该
在这两个二极管的泄漏至V差
+
以及GND构成的模拟信号通路泄漏电流。
所有的模拟漏电流每个引脚和电源端子1之间流动，而不是其他的交换机
终奌站。这就是为什么一个给定开关的两侧可以显示相同或相反极性的漏电流。
有模拟信号路径和V之间没有连接
+
或GND 。
V
+
和GND同时供电的内在逻辑和逻辑电平转换器。逻辑电平转换器转换逻辑
水平切换V
+
和GND信号以驱动模拟信号栅极。
逻辑电平阈值
逻辑电平阈值CMOS / TTL兼容时， V
+
为5 V.由于V
+
上升时，电平阈值
略有增加。当V
+
达到12伏时，电平阈值是约3V - 上文中的TTL指定的高级别
最低2.8 V，但仍与CMOS输出兼容。
注意事项：
不要连接TS12A4514 / MAS4515 V
+
为3 V ，然后连接
逻辑电平引脚从5 V单电源供电的逻辑电平信号。产量
水平可以超过3 V ，违反绝对最大额定值，损坏
部和/或外部电路。
高频表现
在50 Ω系统中，信号的反应是相当平坦高达250 MHz （见
典型工作特性） 。
高于20兆赫时，对反应有几个小峰是高度布局依赖。问题是不
在接通开关;它是将其关闭。断开状态开关的作用就像一个电容器和传递更高
频率较少的衰减。在10 MHz时，关断隔离约为-45 dB，以50 Ω系统，减少
（每十年大约20dB ），随着频率的增加。较高的电路阻抗也使关断隔离
减少。关闭隔离上面的裸IC插座约3分贝，完全是由于电容耦合。
测试电路/时序图
V
+
V
+
V
+
V
IN
0V
TS12A4514
V
OUT
V
OUT
C
L
1000 pF的
V
OUT
TS12A4515
NO
V
NO
或V
NC
= 0 V
V
IN
TS12A4514
TS12A4515
IN
GND
50
COM
V
OUT
是测量电压欠充电
TRANSFER ERROR Q当通道关闭。
Q =
DV
OUT
乘C
L
图1.电荷注入
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