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TS12A4514 ， TS12A4515
,
低电压，低导通电阻
SPST CMOS模拟开关
SCDS193B - 2006年8月 - 修订2007年3月
电气特性的3 - V电源
(1)
V
+
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通状态电阻
导通状态电阻
平整度
NO ， NC
断漏电流
(3)
COM
断漏电流
(3)
COM
泄漏电流
(3)
数字控制输入（ IN）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
开启时间
(4)
打开-O FF时间
(4)
电荷注入
(4)
NO ， NC
关断电容
COM
关断电容
COM
在电容
数字输入电容
带宽
关断隔离
总谐波失真
供应
V
+
电源电流
I
+
V
IN
= 0 V或V
+
25°C
满
0.03
0.05
A
t
ON
t
关闭
Q
C
C
否（关）
,
C
NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
COM（上）
C
I
BW
O
ISO
THD
SEE
图2
SEE
图2
C
L
= 1 nF的，看
图1
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
F = 1MHz时，看
图4
V
IN
= V
+
, 0 V
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 15 pF的，
V
NO
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
25°C
满
25°C
满
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
–1.5
7.5
7.5
17
1.5
460
–94
0.15
33
63
120
175
80
120
ns
ns
pC
pF
pF
pF
pF
兆赫
dB
%
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
= V
+
, 0 V
满
满
满
2.4
0
V
+
0.8
0.01
V
V
A
V
COM
, V
NO
, V
NC
r
on
V
+
= 3 V, V
COM
= 1.5 V,
I
NO
= 1毫安，
V
+
= 3 V,
V
COM
= 1 V, 1.5 V, 2 V,
I
COM
= 1毫安
V
+
= 3.6 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
V
+
= 3.6 V, V
COM
= 1 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
V
+
= 3.6 V, V
COM
= 3 V,
V
NO
或V
NC
= 3 V
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
25°C
满
1
0
18.5
V
+
40
50
3
4
1
10
1
10
1
10
V
符号
测试条件
T
A
最小值典型值
(2)
最大
单位
r
对（平）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
nA
nA
nA
(1)
(2)
(3)
(4)
代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的值是最大值。
典型值是在T
A
= 25°C.
泄漏参数是在最大额定热运行温度100％测试，并且由相关性确保在25℃ 。
按设计规定，未经生产测试
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