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32兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF3223B / SST34HF3243B
初步信息
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS
to
A
0
SA
1
引脚名称
地址输入
地址输入（ SRAM ）
功能
提供flash地址，A
19
-A
0
.
提供SRAM地址，
16
-A
0
为2M和A
17
-A
0
为4M
提供字节模式（ X8 ） SRAM地址输入。当CIO们为V
IL
，在SRAM中的字节
模式和SA提供了最显著地址输入。当CIO们为V
IH
，该SRAM是
在Word模式和SA变成了“不关心”引脚。
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。数据接口
在闪存擦除/编程周期应受锁定。输出处于三态时， OE ＃为
高或BES1 ＃是高/ BES2低， BEF ＃ （ BEF1 ＃和BEF2 ＃ ）是高的。
要激活闪存银行1时BEF1 ＃低
要激活闪存银行2时BEF2 ＃低
要激活SRAM存储器组时BES1 ＃低
要激活SRAM存储器组时BES2高
到栅极上的数据输出缓冲器
要控制写操作
DQ
15
-
DQ
0
BEF1#
BEF2#
BES1#
BES2
OE ＃
WE＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
首席信息官
WP ＃
RST ＃
RY / BY ＃
数据输入/输出
闪存银行1
启用
闪存银行2
启用
SRAM存储器银行
启用
SRAM存储器银行
启用
OUTPUT ENABLE
写使能
高字节控制（ SRAM ）为使DQ
15
-DQ
8
低字节控制（ SRAM ）为使DQ
7
-DQ
0
I / O配置（ SRAM ）
写保护
RESET
就绪/忙＃
CIO们= V
IH
是字模式（ X16 ） ，首席信息官= V
IL
是字节模式（ X8 ）
为了保护和擦除或编程操作撤消部门（为银行1只）
要重置并返回该设备阅读模式
要输出的程序的状态或擦除操作（银行只有2个） 。
RY / BY ＃是漏极开路输出，所以10KΩ - 100KΩ的上拉电阻要求
让RY / BY ＃变为高电平，表示该设备已准备好读。
电源只闪烁（ 2.7-3.3V ）
供电SRAM只（ 2.7-3.3V ）
未连接引脚
T2.3 543
V
SS
地
电源供应器（闪存）
电源供应器（ SRAM ）
无连接
V
DD
F
V
DD
S
NC
1. A
MS
=最显著地址
2002硅存储技术公司
S71197-00-000 1/02
543
8
