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32兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF3223B / SST34HF3243B
初步信息
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式（参见图19） 。如果没有内部
编程/擦除操作过程中，一个最小周期
的t
RHR
后RST ＃之前需要一个有效的驱动为高电平
阅读可以发生（参见图18） 。
已中断的擦除操作必须是
该设备后，重新开始恢复正常工作模式
以确保数据的完整性。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST34HF3223B
SST34HF3243B
0001H
0001H
2761M
2761M
T1.1 543
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出
为了返回到标准读取模式下，软
洁具产品标识模式必须退出。出口是
通过发出软件ID退出命令完成
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备重置
后因疏忽瞬态条件下的阅读模式
这显然会导致设备出现异常时，
例如，不正确地读取。请注意，该软件ID
内部程序中的退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图17为时序波形和图24的
流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST34HF3223B / 3243B提供JEDEC标准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。该SST34HF3223B / 3243B是
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC 。
该
DQ内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，
在任何SDP命令序列。
SRAM操作
随着BES1 ＃低， BES2和BEF ＃ （ BEF1 ＃和BEF2 ＃ ）
高， SST34HF3223B操作为256K ×8或128K
x16的CMOS SRAM和所述SST34HF3243B操作为
512K X8或X16 256K CMOS SRAM ，具有完全静态操作
化，无需外部时钟或定时选通。该
CIO们引脚配置为SRAM x8或x16 SRAM操作
化模式。该SST34HF3223B SRAM被映射到
该装置的第一个128 KWord的地址空间，并且所述
SST34HF3243B SRAM被映射到前256个
KWord的地址空间。当BES1 ＃ ， ＃ BEF （ BEF1 ＃和
BEF2 ＃ ）高， BES2低，所有的存储都
取消和器件进入待机状态。读取和写入
周期时间相等。控制信号瑞银＃和LBS ＃
提供对高数据字节和低字节数据。
见SRAM读表3和写入数据字节控制
的操作模式。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST34HF3223B和SST34HF3243B和制造
商为SST。
该模式可通过软件访问
操作而已。硬件设备ID读操作
化，这通常由程序员不能
因为共享线路被用于在该设备上
之间的多芯片封装闪存和SRAM 。
因此，应用高电压的引脚上的
9
五月
损坏此设备。
用户可以使用该软件产品
识别操作来识别部分（即使用
使用多个厂商的设备时码）
同一个插座。有关详细信息，请参阅表3和表4的软件
操作时，图15为软件ID条目和读
为ID的条目的命令的时序图和图24中
程序流程图。
SRAM读
在SST34HF3223B / 3243B的SRAM读操作
由OE ＃和BES1 ＃控制的，既要低，
WE＃和BES2高的系统，以获得从所述数据
输出。 BES1 ＃和BES2用于SRAM的银行selec-
化。 OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当OE ＃为高电平。请参见读周期时序图，
图4 ，进一步的细节。
2002硅存储技术公司
S71197-00-000 1/02
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