HGT1S20N60A4S9A
数据表
2006年3月
600V ，开关电源系列N沟道IGBT的
该HGT1S20N60A4S9A是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。这些器件具有高输入阻抗
一个MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。在低得多的通态压降只有变化
适度的25
o
C和150
o
C.
这IGBT适用于多种高压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。
该装置已
高频开关模式电源优化
耗材。
以前发育类型TA49339 。
特点
在390V ， 20A >100kHz操作
在390V ， 12A的200kHz工作
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
温度补偿
SABER 模型
www.intersil.com
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订购信息
产品型号
HGT1S20N60A4S9A
包
TO-263AB
BRAND
20N60A4
包装
JEDEC TO- 263AB
集热器
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
G
C
E
符号
C
G
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2006仙童半导体公司
HGT1S20N60A4S9A版本A
