HGT1S20N60A4S9A
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
100
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 12V
脉冲宽度= 250μs的
除非另有说明
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
100
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
脉冲宽度= 250μs的
80
80
60
60
40
T
J
= 125
o
C
20
T
J
= 150
o
C
0
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= 125
o
C
20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0
0
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
2.4
2.8
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
3.2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
1400
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
1200
1000
800
600
400
200
0
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
800
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
700
600
500
400
300
200
100
0
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
22
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
20
18
16
14
12
10
8
R
G
= 3, L = 500
H,
V
CE
= 390V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V
t
rI
，上升时间（ NS ）
36
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
32
28
24
20
16
12
8
4
T
J
= 25
o
C或T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
5
10
15
20
25
30
35
40
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
2006仙童半导体公司
HGT1S20N60A4S9A版本A
