FDZ203N
2005年9月
FDZ203N
N沟道2.5V指定的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
概述
结合飞兆半导体先进的2.5V规定
的PowerTrench工艺与先进的BGA状态
包装上， FDZ203N最大限度地减少PCB空间
此BGA MOSFET体现了
和R
DS （ ON）
.
突破性的封装技术使
该设备结合优异的热传递
特性，高电流处理能力，超
薄型封装，低栅极电荷和低R
DS （ ON）
.
特点
7.5 A， 20 V
R
DS （ ON）
= 18毫欧@ V
GS
= 4.5
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 2.5 V
占地仅4毫米
2
的PCB面积。
一个SSOT- 6的面积小于40 ％
超薄封装：小于0.80毫米的高度时，
安装到印刷电路板
超低Q
g
个R
DS （ ON）
如下图中，择优录取。
高功率和电流处理能力。
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
门
D
底部
指数
SLOT
S
G
顶部
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
（注1A ）
- 脉冲
功率耗散（稳态）
（注1A ）
工作和存储结温范围
评级
20
±12
7.5
20
1.6
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJB
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到球
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
（注1 ）
67
11
1
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
203N
设备
FDZ203N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDZ203N版本E6 （ W）
