FDZ203N
2005年9月
FDZ203N
N沟道2.5V指定的PowerTrench
BGA封装的MOSFET
概述
结合飞兆半导体先进的2.5V规定
的PowerTrench工艺与先进的BGA状态
包装上， FDZ203N最大限度地减少PCB空间
此BGA MOSFET体现了
和R
DS （ ON）
.
突破性的封装技术使
该设备结合优异的热传递
特性，高电流处理能力，超
薄型封装，低栅极电荷和低R
DS （ ON）
.
特点
7.5 A， 20 V
R
DS （ ON）
= 18毫欧@ V
GS
= 4.5
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 2.5 V
占地仅4毫米
2
的PCB面积。
一个SSOT- 6的面积小于40 ％
超薄封装：小于0.80毫米的高度时，
安装到印刷电路板
超低Q
g
个R
DS （ ON）
如下图中，择优录取。
高功率和电流处理能力。
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
门
D
底部
指数
SLOT
S
G
顶部
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
（注1A ）
- 脉冲
功率耗散（稳态）
（注1A ）
工作和存储结温范围
评级
20
±12
7.5
20
1.6
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJB
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到球
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
（注1 ）
67
11
1
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
203N
设备
FDZ203N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDZ203N版本E6 （ W）
FDZ203N
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= –12 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
20
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
1
100
–100
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
m
开关特性
14
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 7.5 A
I
D
= 5.5 A
V
GS
= 2.5 V,
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.5 A，T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V,
I
D
= 7.5 A
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
0.6
0.8
–3
14
20
20
1.5
18
30
28
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
20
33
1127
268
134
8
11
26
8
11
2
3
16
20
42
16
15
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
nS
nC
动态特性
开关特性
V
DD
= 10V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.5 A,
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 9A,
二极管的反向恢复电荷
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
（注2 ）
0.7
20
14
1.3
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。从结到热阻
的焊锡球， R的电路板侧
θJB
，是德网络定义，以供参考。对于R
θJC
为的情况下，热参考点被定义为的顶表面
铜芯片载体。
θJC
和R
θJB
设计是保证，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
67 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
的2盎司铜， 1.5“×
1.5“× 0.062 ”厚
PCB
b)
安装时， 155 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2. 2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDZ203N Rev.E6 （W）的
