TISPPBL1D ， TISPPBL1P ， TISPPBL2D ， TISPPBL2P
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信元件SLIC组件
典型特征
累积％人口
vs
流时间
TC6XAC
50设备10晶圆批次测试
I
F
= 20 A，I
T
= -20 A， 0.5 / 700波形
T
A
= 25 ° C，V
GG
= -50 V
99·999
99·99
99·9
累积人口 - ％
99
90
70
50
30
10
1
0·1
0·01
1.10
正常化峰值限制电压不
vs
结温
TC6XAA
归一化到25℃的值
V的
（BO）
和V
FRM
I
F
= 20 A，I
T
= -20 A
0.5 / 700波形
V
GG
= -50 V
正常化峰值限制电压不
1.05
1.00
晶闸管
V
（BO）
二极管吨
FR
对于V
F
> 5 V
离群
(2) @ 0 s
0.95
晶闸管T
（ BR ）
对于V
（ BR ）
＆ LT ; V
GG
二极管
V
FRM
0·001
0.001
1
0.004 0.01
0.04 0.1
0.4
t
（ BR ）
, t
FR
- 击穿和正向恢复时间 - 微秒
0.90
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80
T
J
- 结温 - °C
图11
图12
应用信息
门控保护器的操作
下面的SLIC电路定义适用于本数据表：
V
BAT
- 对电池的供电电压引脚封装标签。
V
BAT
=电压施加于V
BAT
引脚。
V
B
- 负应用于V电源电压
BAT
通过隔离二极管管脚。这个电压也是
栅极基准电压V
GG
的TISPPBLx的。当隔离二极管D1导通，则
V
BAT
= V
B
+ 0.7.
隔离二极管，D1在图13中，是为了防止流入到SLIC的基底产生破坏性电流（Ⅴ
BAT
销） ，如果在V
BAT
电压比V更负
B
在负过电压状态供给。
每个SLIC需要从V隔离二极管
B
电源电压。
图13和图14示出了TISPPBLx如何限制过电压。该TISPPBLx晶闸管部分限制
负的过电压和所述二极管部分限制正过电压。
负的过电压（图13）最初被夹住靠近SLIC的负电源轨值（V
B
）由
导通状态的晶体管基极 - 发射极和所述晶闸管的门极 - 阴极结。如果有足够的电流
可从过电压，则晶闸管将撬棍进入低电压接地导通状态中引用
条件。为平息过压撬棍晶闸管的高保持电流防止直流闭锁。
所述负的保护电压将栅极供给的总和（Ⅴ
B
）和峰值栅极（端子） -cathode
电压（V
GK （ BO ）
） 。在交流过压条件下V
GK （ BO ）
将小于3 V的集成晶体管
缓冲器中的TISPPBLx大大降低了栅极正电流（约50 mA至1 mA）的并引入了
负门极电流。图1示出了TISPPBLx栅极电流取决于当前感
产品
8
信息
1997年8月 - 修订2002年8月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
