2SK3443
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3443
开关稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 50毫欧（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
9 = S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 150 V)
Enhancementmode ： V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
150
150
±30
30
120
125
468
30
12.5
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-97
2-9F1B
重量0.74克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
1.00
单位
° C / W
电路CON组fi guration
注意：
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入到S2的销。
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注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2
V
DD
=
50 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
773
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
30 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。请处理好与
慎用。
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2006-11-20
