2SK3443
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3443
开关稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 50毫欧（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
9 = S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 150 V)
增强型： V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
150
150
±30
30
120
125
468
30
12.5
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-97
2-9F1B
重量0.74克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和可靠性
的方法“），并从个人数据的可靠性（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
1.00
单位
° C / W
电路CON组fi guration
注意：
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入到S2的销。
4
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2
V
DD
=
50 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
773
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
30 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。请处理好与
慎用。
1
2
3
1
2009-09-29
2SK3443
电气特性
（注4 ） （大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅极 - 源极加
栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
120 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
30 A
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS1
0V
4.7
Ω
G
S
1
R
L
=
5.0
Ω
S
2
I
D
=
15 A
V
OUT
D
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
150 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
15 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
15 A
民
150
3.0
4.5
典型值。
50
9
2030
340
1200
20
40
10
40
45
21
24
最大
±10
100
5.0
55
pF
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
V
DD
75 V
ns
nC
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
注4 ：将S1和S2引脚连接在一起，并且接地他们除了切换时间的测量过程中。
源极 - 漏极二极管额定值和特性
（注5 ） （大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ，注5 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ，注5 ）
连续漏电流反向
（注1 ，注5 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ，注5 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
30 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
30 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
250
1.75
最大
30
120
1
4
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
μC
注5 ：我
DR
1, I
DRP
1 ：电流在漏极和S2的销之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2：电流在漏极和S1的管脚之间流动。确保S2引脚悬空。
除非另有说明，连接S1和S2引脚连接在一起，并研磨它们。
记号
注6 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
产品型号
没有下划线： [铅] /包括> MCV
（或缩写代码）
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
LOT号
注6
K3443
特征
指标
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
2SK3443
R
DS （ ON）
TC =
(mΩ)
常见的来源
0.18 VGS
=
10 V
脉冲测试
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
ID
=
7.5 A
ID
=
30 A
ID
=
15 A
0.2
1000
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
漏源电阻R
DS （ ON）
反向漏电流I
DR
(A)
10
10 V
5V
3V
VGS
=
0 V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
30000
10000
6
V
th
TC =
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
西塞
科斯
CRSS
3
10
30
100
300
1000
（PF ）
5
5000
3000
1000
500
300
100
50共源
30 VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
电容C
4
3
2
1
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度
(°C)
P
D
TC =
200
200
动态输入/输出特性
20
常见的来源
ID
=
30 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
VDD
=
120 V
60 V
30 V
VGS
40
4
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
160
160
16
漏源电压
80
80
8
40
10
0
40
80
120
160
200
0
0
20
40
60
80
0
100
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2009-09-29
栅源电压
120
120
12
V
GS
(V)
2SK3443
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3443
开关稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 50毫欧（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
9 = S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 150 V)
Enhancementmode ： V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
150
150
±30
30
120
125
468
30
12.5
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-97
2-9F1B
重量0.74克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
1.00
单位
° C / W
电路CON组fi guration
注意：
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入到S2的销。
4
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2
V
DD
=
50 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
773
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
30 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。请处理好与
慎用。
1
2
3
1
2006-11-20
2SK3443
电气特性
（注4 ） （大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅极 - 源极加
栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
120 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
30 A
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS1
0V
4.7
Ω
G
S
1
R
L
=
5.0
Ω
S
2
I
D
=
15 A
V
OUT
D
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
150 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
15 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
15 A
民
150
3.0
4.5
典型值。
50
9
2030
340
1200
20
40
10
40
45
21
24
最大
±10
100
5.0
55
pF
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
V
DD
75 V
ns
nC
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
注4 ：将S1和S2引脚连接在一起，并且接地他们除了切换时间的测量过程中。
源极 - 漏极二极管额定值和特性
（注5 ） （大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ，注5 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ，注5 ）
连续漏电流反向
（注1 ，注5 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ，注5 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
30 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
30 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
250
1.75
最大
30
120
1
4
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
μC
注5 ：我
DR
1, I
DRP
1 ：电流在漏极和S2的销之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2：电流在漏极和S1的管脚之间流动。确保S2引脚悬空。
除非另有说明，连接S1和S2引脚连接在一起，并研磨它们。
记号
产品型号（或缩写代码）
K3443
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
特征
指标
2
2006-11-20
2SK3443
R
DS （ ON）
TC =
(mΩ)
常见的来源
0.18 VGS
=
10 V
脉冲测试
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
ID
=
7.5 A
ID
=
30 A
ID
=
15 A
0.2
1000
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
漏源电阻R
DS （ ON）
反向漏电流I
DR
(A)
10
10 V
5V
3V
VGS
=
0 V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
30000
10000
6
V
th
TC =
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
西塞
科斯
CRSS
3
10
30
100
300
1000
（PF ）
5
5000
3000
1000
500
300
100
50共源
30 VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
电容C
4
3
2
1
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度
(°C)
P
D
TC =
200
200
动态输入/输出特性
20
常见的来源
ID
=
30 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
VDD
=
120 V
60 V
30 V
VGS
40
4
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
160
160
16
漏源电压
80
80
8
40
10
0
40
80
120
160
200
0
0
20
40
60
80
0
100
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2006-11-20
栅源电压
120
120
12
V
GS
(V)
QQ：2880707522 复制
