2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1863 /
2SD1733.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1181
1.5
±
0.3
0.5±0.1
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
9.5
±
0.5
1.5
+0.2
0.1
0.3
5.5
+
0.1
0.9
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.1
1.5
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.05
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
简短的
符号： BE
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
FE
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
150
2
3
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
REV.C
2.5
1/3
