功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1733 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
1.6±0.1
1.5±
2SB1181
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
C0.5
2.3
+
0.2
0.5
±
0.1
0.5±0.1
5.5
+
0.3
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
+150
W（ =锝25
°C
)
2
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
1
2
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
80
80
5
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
pF
www.rohm.com
c
○
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2012.01 - Rev.G
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1260 / 2SB1181
Packaging
规格和h
FE
数据表
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1181
h
FE
QR
QR
基本订购
单位（件）
TL
TAPING
T100
1000
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
Ta=25°C
4.5mA
4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
0.5mA
I
B
=0mA
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1000
500
Ta=25°C
100
直流电流增益：H
FE
200
100
50
V
CE
= 3V
1V
10
1
20
10
1 2
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
集电极电流：我
C
（MA ）
I
C
/I
B
=20
10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
-0.2
0.5
-1
2
5 10 20
50 100
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积
与发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
www.rohm.com
c
○
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2012.01 - Rev.G
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
R1120A
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
= 80V ，我
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
补充2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733 。
尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
1.6±0.1
1.5±
2SB1181
1.5
±
0.3
0.5±0.1
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
2.3
+
0.2
C0.5
0.5
±
0.1
9.5
±
0.5
5.5
+
0.3
0.9
4.0
±0.3
2.5
+0.2
1.5
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
+150
2
3
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
www.rohm.com
c
○
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1/2
2011.05 - Rev.F
2.5
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181 ， 2SB1241
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
80
80
5
120
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
数据表
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
pF
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
QR
QR
QR
基本订购
单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
T100
1000
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
500
4.5mA
5.0mA
4.0mA
3.5mA
1000
3.0mA
400
Ta=25
℃
V
CE
=-5V
1000
Ta=25
℃
集电极电流：我
C
[马]
集电极电流：我
C
[马]
2.5mA
2.0mA
100
直流电流增益：H
FE
V
CE
=-3V
300
1.5mA
200
1.0mA
100
Ta=25
℃
脉冲
0
0.5
1
1.5
2
I
B
=0.5mA
10
100
V
CE
=-1V
1
0
0.1
0.2
10
0.4
0.6
0.8
基地发射极电压： V
BE
[V]
1
1
10
100
集电极电流：我
C
[马]
1000
COLLECOR - 发射极电压： V
CE
[V]
图1地面发射极输出特性
图2发射极接地传播
特征
图3直流电流增益V集电极电流
Ta=25
℃
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
[V]
跃迁频率：F
T
[兆赫]
Ta=25
℃
V
CE
=-5V
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
发射极输入电容： CIB （PF ）
1
1000
1000
Ta=25
℃
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
兴业银行
0.1
I
C
/I
B
=20
10
100
100
COB
0.01
1
10
100
集电极电流：我
C
[马]
1000
10
1
10
100
发射极电流：我
E
[马]
1000
10
0.1
1
10
100
图4集电极 - 发射极饱和
电压V的集电极电流
图5过渡Frewuency νs的
发射极电流
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图6发射器输入电容V秒。发射极 - 基极电压
集电极输出电容V秒。集电极 - 基
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○
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2011.05 - Rev.F
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
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此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
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2011 ROHM有限公司保留所有权利。
R1120A
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
！特点
1）高的击穿电压和高
电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=1A
2 ）良好的
FE
线性度。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 /
2SD1863 / 2SD1733 。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1181
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1+0.2
0.1
C0.5
2.3+0.2
0.1
0.5
±
0.1
0.5±0.1
1.5 +0.2
0.1
5.5+0.3
0.1
4.0 ±0.3
2.5+0.2
0.1
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4+0.1
0.05
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
!
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
简短的
符号： BH
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
*指H
FE
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
范围
-80
-80
-5
-1
-2
0.5
2
1
10
150
-55~+150
W
*2
*3
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
*1
W(Tc=25C)
C
C
* 1单脉冲， PW = 100毫秒
* 2当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
*3
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率
输出电容
2SB1260 ， 2SB1241
2SB1181
COB
f
T
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
-80
-80
-5
-
-
-
82
120
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
25
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-0.4
390
390
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
V
-
-
兆赫
兆赫
pF
V
CE
= -5V ，我
E
= 50mA时F = 30MHz的
V
CE
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 30MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
I
C
=-50A
I
C
=-1mA
I
E
=-50A
V
CB
=-60V
V
EB
=-4V
I
C
/I
B
=-500mA/-50mA
V
CE
= -3V ，我
C
=-0.1A
条件
!
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
PQR
QR
PQR
基本订购
单位（件）
TL
2500
-
-
-
TAPING
TV2
2500
-
-
-
T100
1000
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
!
电气特性曲线
-1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta=25C
V
CE
=-5V
Ta=25C
-1.0
-0.45mA
-0.8
-0.4mA
-0.35mA
-0.6
-0.3mA
-0.25mA
-0.4
-0.2mA
-0.15mA
-0.2
-0.1mA
1000
500
直流电流增益：H
FE
Ta=25C
-100
200
100
50
V
CE
=-3V
-10
-1V
-1
-0.1
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
-0.05mA
I
B
=0mA
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0
20
10
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100 -200-500-1000-2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25C
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100-200-500-1000-2000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
Ta=25C
V
CE
=-5V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
-0.1 -0.2
-0.5 -1
-2
-5 -10 -20
-50 -100
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
/I
B
=20
10
50 100 200 500 1000
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
Ta=25C
f=1MHz
I
C
=0A
10
-2
I
C（最大值）
。 （脉冲）
Ta=25C
单身
不重复
脉冲
*
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
I
C（最大值）
。 （脉冲）
P
W
-1 I
C（最大值）
.
-0.5
DC
Ta=25C
单身
不重复
脉冲
*
=1
0m
=1
P
W
P
W
200
100
50
s
0m
=1
s
00
0
=1
P
W
0m
DC
s
m
s
-0.2
-0.1
-0.05
-0.5
-1
-2
20
10
-0.1 -0.2
*
印刷电路板：
-0.5
-1
-2
-5
-10
-5
-10
-20
-50 -100
2m
2
1m
镀铜至少1厘米。
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100200 5001000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1.7毫米厚收藏家
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图。 7发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
-5
集电极电流：我
C
(A)
图。 8安全工作区
(2SB1260)
图9安全工作区（ 2SB1241 ）
-2
-1
Ta=25C
单身
不重复
脉冲
*
P
W
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-0.1 -0.2 -0.5 -1
-2
-5 -10 -20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SB1181)
=1
00
ms
-50 -100
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
功率晶体管（ -80V ，
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
80V,
I
C
=
1A
2 ）良好的
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1863 /
2SD1733.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
2SB1181
1.5
±
0.3
0.5±0.1
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
9.5
±
0.5
1.5
+0.2
0.1
0.3
5.5
+
0.1
0.9
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.1
1.5
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.05
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
简短的
符号： BE
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1241
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1241 ， 2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
FE
范围
80
80
5
1
2
0.5
2
1
10
150
55
150
2
3
1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W（ =锝25
°C
)
°C
°C
1
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1241 ：单脉冲， PW = 100毫秒
2 2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
3 2SB1241 ：
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
REV.C
2.5
1/3
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
2SB1260 ， 2SB1181
2SB1241
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181 ， 2SB1241
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
分钟。
80
80
5
82
120
典型值。
100
20
25
马克斯。
1
1
0.4
390
390
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= 0.1A
V
CE
= 10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
A
A
V
兆赫
pF
pF
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
TAPING
TL
2500
TV2
2500
T100
h
FE
PQR
QR
PQR
基本订购
单位（件）
1000
2SB1260
2SB1241
2SB1181
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82至180
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25°C
4.5mA
4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
1000
500
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
100
200
100
50
V
CE
= 3V
1V
10
1
0.1
0
0.2 0.4
0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0.5mA
I
B
=0mA
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
20
10
1 2
5 10 20
50 100 200 500 1000 2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
REV.C
2/3
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
-0.2
0.5
-1
2
5 10 20
50 100
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
/I
B
=20
10
50 100 200
500 1000
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积
与发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
10
I
C（最大值）
（脉冲）
I
C（最大值）
.
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
I
C（最大值）
（脉冲）
P
W
1
DC
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
0
=
1
=
1
P
W
0
=
1
P
W
200
100
50
P
W
0.1
s
m
0m
s
ms
=
1
00
s
0m
DC
0.01
20
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
印刷电路板：
0.001
0.1
1
10
100
2m
2
1m
镀铜至少1厘米。
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100200 5001000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
1.7毫米厚收藏家
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图。 7
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
图8安全工作区
(2SB1260)
Fig.9
安全工作区
(2SB1241)
5
集电极电流：我
C
(A)
2
1
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
=
1
P
W
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
5 10 20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SB1181)
00
ms
50 100
REV.C
3/3
附录
笔记
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在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2880707522 复制
