【2SJ181 （L） 2SJ181 （S）硅P沟道MOS场效应晶体管REJ03G0848-0200（】,IC型号2SJ181STL-E,2SJ181STL-E PDF资料,2SJ181STL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ181 （L） 2SJ181 （S）

硅P沟道MOS场效应晶体管

REJ03G0848-0200

（上一个： ADE- 208-1183 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

描述

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器和DC-DC转换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A

（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ））

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

1.门

2.漏

3.源

4.漏

Rev.2.00 2005年9月7日第1页7

2SJ181 （L） 2SJ181 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

–600

±15

–0.5

–1.0

–0.5

150

-55到+150

单位

°C

PCH

总胆固醇

注2

TSTG

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

–600

±15

—

–2.0

—

0.3

—

典型值

—

0.45

220

–0.85

230

最大

—

±10

–100

–4.0

—

单位

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 A,

= 0

±12

V, V

= 0

= –500 V, V

= 0

= -1毫安，V

= –10 V

= -0.3 A，V

= –10 V

注3

= -0.3 A，V

= –20 V

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= –0.3 A

= –10 V

= 100

= -0.5 A，V

= 0

= -0.5 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

注3

Rev.2.00 2005年9月7日第2 7

2SJ181 （L） 2SJ181 （S）

主要特点

功率与温度降额

–10

–3

–1

–0.3

–0.1

–0.03

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

散热通道

漏电流

ERA

TIO

操作

TC OT ）

这个区域是

5°C

限于由R

DS （ ON）

)

100

150

200

TA = 25°C

–0.01

–10 –20

–50 –100 –200

–500 –1000

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

–1.0

脉冲测试

–10 V

–6 V

–0.5

典型的传输特性

(A)

–0.8

(A)

漏电流

–5 V

–0.4

–0.6

–0.3

TC = -25°C

75°C

25°C

= –20 V

脉冲测试

–50

–2

–4

–6

–8

–10

漏电流

–0.4

–4.5 V

–0.2

= –4 V

–10

–20

–30

–40

–0.2

–0.1

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

–20

脉冲测试

–16

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

500

脉冲测试

200

100

= –10 V

–0.02 –0.05 –0.1 –0.2

–15 V

–12

= –0.5 A

–8

–0.2 A

–0.1 A

–4

–8

–12

–16

–20

–4

–0.5

–1

–2

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

2SJ181 （L） 2SJ181 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

= –10 V

= –0.5 A

–0.2 A

–0.1 A

0.5

25°C

75°C

TC = -25°C

0.2

0.1

0.05

= –20 V

脉冲测试

0.02

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5

–1

–2

–5

–40

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

300

100

科斯

CRSS

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

西塞

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

–0.05 –0.1 –0.2

的di / dt = 100 A /

= 0 ， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

反向漏电流

(A)

电容C （PF ）

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–0

= –100 V

–250 V

–400 V

500

= –10 V, V

= –30 V

PW = 5

税

≤

1 %

–200

–4

开关时间t（ NS ）

200

100

TD （关闭）

TD （上）

–0.5

–1

–2

–5

漏源极电压

–400

–600

= –100 V

–250 V

–400 V

–8

–12

栅极至源极电压

–800

= –0.5 A

–16

–1000

–20

–0.05 –0.1 –0.2

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 7

2SJ181 （L） 2SJ181 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–1.0

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

–0.8

–0.6

–0.4

–

10 V

–0.2

0, 5 V

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

源极到漏极电压

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C

ULS

0.03

0.0

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

10%

波形

90%

VIN

–10 V

= –30 V

VOUT

TD （上）

10%

TD （关闭）

10%

Rev.2.00 2005年9月7日第5 7