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飞思卡尔半导体公司
特定网络阳离子
外部存储器接口（ EMI） DRAM时序
表2-8
外部存储器接口（ EMI） DRAM时序（续）
号
特征
定时
符号
模式
t
CP
50兆赫
表达
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
T
C
– 5
15
—
10
—
7.3
—
ns
66兆赫
81兆赫
单位
54 CAS Deassertation脉冲
宽度
（网页模式访问
只）
55行地址有效到
RAS断言
（行地址设置
时间）
56 RAS断言到ROW
地址无效
（行地址保持
时间）
57列地址有效
到CAS断言
（列地址设置
时间）
58 CAS断言到
不列地址
有效
（列地址保持
时间）
59最后CAS断言到
不列地址
有效（列地址
保持时间）
60 RAS断言到
不列地址
有效
61列地址有效
到RAS Deassertation
62 CAS ， RAS ， RD ， WR或
Deassertation到WR或
RD断言
t
ASR
T
L
– 6
4
—
2
—
0.2
—
ns
飞思卡尔半导体公司...
t
RAH
慢
快
3
×
T
C
+ T
H
–
14
2
×
T
C
+ T
H
–
14
T
L
– 6
56
36
4
—
—
—
39
24
2
—
—
—
29.2
16.9
0.2
—
—
—
ns
ns
ns
t
ASC
t
CAH
慢
快
3
×
T
C
+ T
H
–
14
2
×
T
C
+ T
H
–
14
56
36
—
—
39
24
—
—
29.2
16.9
—
—
ns
ns
t
CAH
慢
快
7
×
T
C
+ T
H
– 136
14
4 ×
T
C
+ T
H
– 76
14
7
×
T
C
+ T
H
– 136
14
5
×
T
C
+ T
H
– 96
14
3
×
T
C
+ T
L
– 7 63
2
×
T
C
+ T
L
– 7 43
5
×
T
C
– 11
3
×
T
C
– 11
0
89
49
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
54
100
69
46
30
65
35
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
78.6
41.6
78.6
53.9
36.2
23.9
50.7
26.0
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AR
慢
快
t
拉尔
t
RCH
,
t
RRH
慢
快
慢
快
63 CAS或RD Deassertation吨
关闭
, t
GZ
以数据无效
（数据保持时间）
64随机读或写操作
周期时间（单
只访问）
t
RC
慢
快
12
×
T
C
8
×
T
C
240
160
—
—
182
121
—
—
148
98.8
—
—
ns
ns
2-10
DSP56004 / D ，第3版
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