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DS89C430 / DS89C440 / DS89C450超高速闪存微控制器
图6.内存映射（如图所示为DS89C430 ）
FFFF
FFFF
国内
内存
03FF
1K ×8
SRAM
数据或
程序存储
从地址
400 - 7FF
4000
国内
注册
128字节SFR
FF
0000
3FFF
外
节目
内存
外
数据
内存
128字节
间接
地址
80
2000
1FFF
位寻址
8K ×8
FL灰
内存
（ PROGRAM ）
7F
2F
20
1F
3银行
2银行
银行1
BANK 0
8K ×8
FL灰
内存
（ PROGRAM ）
0000
0000
03FF
00
0000
内存配置
如图
图6中，
在DS89C430集成了两个的8kB闪存领域的片上程序存储器和1kB的
SRAM的片上数据存储器或“备用”的程序存储空间的特定范围（ 400-7FF ） 。该
DS89C440集成了两个16kB的闪存和DS89C450集成了两个32kB的闪存。该
DS89C430使用了从数据存储器中分离程序存储器中的地址方案，使得在16位
地址总线可以解决每个内存区域到最大为64KB 。
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