位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第532页 > CS5165HGDW16 > CS5165HGDW16 PDF资料 > CS5165HGDW16 PDF资料2第17页
CS5165H
也可以使用用于占空比前述方程
计算出调节器的开关频率，并选择
C
关闭
定时电容：
COFF
+
Perioid
(1
*
占空比）
4848.5
环境温度的变化会向
增加的阻力，根据下式：
R
+
R20[1
)
a
20(T
*
20)]
其中：
1
期
+
开关频率
肖特基二极管的同步FET
其中：
R
20
=在20℃下的电阻
a
+
0.00393
°C
对于同步操作，一个肖特基二极管可以是
平行放置，同步FET来进行
当打开电感电流关断开关FET的至
提高工作效率。该CS5165H参考电路不
使用该设备，由于它的优秀设计。相反，该
同步FET的体二极管被用于降低
成本，并进行了电感电流。外观设计
在200千赫左右操作时，低的非重叠时间
结合肖特基正向恢复时间可能使
此装置不值得额外费用的优点。
在同步MOSFET的功耗因
体二极管导通可以由以下来估计
公式：
动力
+
VBD
ILOAD
导通时间
开关频率
T =工作温度
R =所需下垂的电阻值
对于温度T = 50 ℃时， ％R变动= 12％
下垂电阻容差
宽容是由于片状电阻率变化
宽容是由于L / W错误
公差由于温度变化
总公差下垂电阻
16%
1.0%
12%
29%
为了确定在下垂电阻值的标称
穿过它在满负荷的电压降必须被计算出来。这
电压降必须是使得输出电压满载
高于最小直流公差规范。
[ VDAC （ MIN ）
*
VDC （ MIN ） ]
VDROOP （ TYP ）
+
1
)
RDROOP （公差）
其中，V
BD
= MOSFET体的正向压降
二极管。对于CS5165H演示板：
动力
+
1.6 V
14.2 A
100纳秒
200千赫
+
0.45 W
这仅是1.1％的40瓦被传递到负载。
“下垂”电阻自适应电压定位
例如： 300 MHz奔腾II ，直流精度规格
为2.74 < V
CC （核心）
＆ LT ; 2.9 V和AC精度指标
2.67 V < V
CC （核心）
< 2.9 3V 。该CS5165H DAC输出
电压为2.812 V < V
DAC
＆ LT ; 2.868五，为了不
超过DC精度指标，压降开发
在电阻必须被计算如下：
VDROOP （ TYP ）
+
[ VDAC （ MIN ）
*
直流电压PENTIUMII （MIN） ]
1
)
RDROOP （公差）
自适应电压定位是用来帮助保持
负载瞬变期间在规定范围内的输出电压。
为了实现自适应电压定位是“下垂
电阻“必须连接在输出电感器之间
和输出电容和负载。这个电阻进行了全面
负载电流，应选择得使直流和交流
公差范围得到满足。嵌入式PC走线电阻具有
近乎零成本实现了明显的优势。
然而，这种下垂电阻可以改变由于三个方面的原因：
1）表面电阻率的变化导致的厚度
印刷电路板层来改变。 2） L / W的不匹配，以及3）
温度的变化。
1.
表面电阻率
1盎司的铜，其厚度
变化通常1.15万至1.35万。因此，
错误，由于片材的电阻率是：
1.35
*
1.15
+
16%
1.25
+
2.812 V
*
2.74 V
+
56毫伏
1.3
2.
不匹配，由于L / W 。
作为L中的变化和/ W是
通过连接至PCB制造变化引起的管辖
过程影响的几何形状和功率
下垂电阻的散热能力。错误
由于L / W的不匹配通常是1.0％。
3.
散热考虑。
由于我
2
×
R电源损耗
下垂电阻器的表面温度会
增加引起的电阻增加。此外，该
与CS5165H DAC的精度为1.0 ％，则
内部误差放大器的参考电压微调等等
输出电压将是40毫伏高在空载。同
无负载时，存在电阻两端无直流压降，产生
的输出电压跟踪误差放大器的输出电压，
包括偏移。当满载电流被输送，
一滴
56
毫伏的电阻两端的开发。因此，
稳压器的输出被预先放置在40毫伏以上的
一负载的导通之前的标称输出电压。总
由于负载步骤是电压降
ΔV40
mV，而
从标称输出电压的偏差为40毫伏小
那将是比如果没有下垂电阻器。同样，在
满负载稳压器的输出被预先放置在16毫伏
下面之前的负载关断的标称电压。总
电压的增加，由于负载的关断是
ΔV16
mV，而
从标称输出电压的偏差为16毫伏小
那将是比如果没有下垂电阻器。这是
由于输出电容被预充电到值，该值
或者是40 mV以上之前的额定输出电压
负载开启或16毫伏低于额定输出电压
前一个负载断开（见图15） 。
http://onsemi.com
17
