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CS5165H
选择外部元件
该CS5165H降压型稳压器可与广泛使用
外部功率元件的范围内，以优化的成本和
特定设计的性能。以下
信息可以作为一般准则，以协助
他们的选择。
NFET功率晶体管
@:2.2 V
两个逻辑电平与标准场效应晶体管都可以使用。该
参考设计源于12 V电源栅极驱动
这是一般可用大多数计算机系统和
利用逻辑电平场效应管。电荷泵可以很容易地
实施以允许使用标准的场效应管的或支持
5.0 V或12 V系统只（最大20V） 。多种
FET的可以并联，以减少损失，提高
效率和热管理。
加到FET栅极电压取决于
应用电路中使用。上部和下部栅极驱动器
输出指定的来车往内1.5 V的地面时，
在低电平状态和内2.0V的各自偏差的
耗材状态为高电平时。在实践中，FET栅极
将被驱动轨至轨，由于所引起的过冲
容性负载它们呈现给控制器IC 。对于
典型的应用程序，其中V
CC
= 12 V和5.0 V作为
源的调节器输出电流，如下
栅极驱动提供：
VGS （ TOP）
+
12 V
*
5.0 V
+
7.0 V
VGS （ BOTTOM ）
+
12 V
迹线1 = GATE （H ） （ 5.0 V / DIV 。 ）
跟踪2 = GATE （L ） （ 5.0 V / DIV 。 ）
图27.正常操作显示的保证
非重叠时间的高侧和低侧之间
MOSFET栅极驱动器，I
负载
= 14 A
（参见图26）
该CS5165H提供了外部的自适应控制
NFET导通时间由保证一个典型的65纳秒
上和下MOSFET的栅极之间的非重叠
驱动脉冲。这个特性消除了潜在的
，一个条件“直通电流”灾难性的影响
在此期间，两个FET的行为导致其过热，
自毁，并可能造成不可逆的损害
处理器。
的场效应晶体管性能的最重要的方面是
RDS
ON
，其效果调节器效率和FET热
管理要求。
由MOSFET的功率耗散可估计
如下：
开关MOSFET ：
动力
+
ILOAD2
RDSON
RDSON
占空比
(1
*
占空比）
同步MOSFET ：
动力
+
ILOAD2
占空比=
VOUT
)
（ ILOAD
SYNCH FET的RDSON ）
VIN
)(I
SYNCH FET的RDSON LOAD ）
*
（开关FET的RDSON ILOAD ）
追踪3- GATE （H ） （ 10 V / DIV 。 ）
迹1- GATE （H）的
5.0 V
IN
微量4- GATE （ L） （ 10 V / DIV 。 ）
追踪2-电感开关节点（ 5.0 V / DIV 。 ）
关闭时间电容（C
关闭
)
了C
关闭
定时电容设置的调节关断时间：
花花公子
+
COFF
4848.5
图26.栅极驱动波形抒写
轨至轨摆动
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