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CS5165A
在全国的寄生电容的电压1.快速变化
而在目前的寄生电感的突然变化
是一个良好的布局重大关切。
2.保持高电流进行逻辑理由。
3.避免接地回路，因为他们拿起噪音。使用星型或
单点接地。下源
（同步FET ）是一种理想的点，其中所述输入
和输出接地平面可以被连接。
4.对于双面印刷电路板一个单一的大接地平面
不推荐的，因为存在着很少的控制
其中，电流流过与所述大的表面面积可以充当
作为天线工作。
5.即使双面印刷电路板通常就足够了
一个良好的布局，四层PCB是最佳
的办法，减少对噪声敏感。使用
两个内部层为+5.0 V和接地平面和
在顶层和底层的导通孔。
6.保持电感器开关节点的细小放置
输出电感器，开关和同步FET的
并拢。
7. FET栅极走线的集成电路必须尽可能的短，
直，宽越好。理想情况下，该IC必须
放在旁边的场效应管。
8.使用较少，但较大的输出电容，保持
电容器簇，和使用多个层的痕迹
与重铜保持寄生电阻
低。
9.将开关FET作为接近5.0 V输入
电容越好。
10.将输出电容尽可能靠近负载为
可能。
11.将V
FB
过滤电阻串联theV
FB
针
（引脚16）就在脚。
12.将V
FB
在V滤波电容的权利
FB
针
（引脚16 ） 。
13. “降速”电阻（嵌入PCB走线）有
足够宽来进行满负荷电流。
14.将V
CC
旁路电容尽可能靠近，以
在V
CC
引脚。
5.0 V
MBRS120
MBRS120
MBRS120
1.0
mF
V
CC
V
ID0
下垂电阻
（嵌入式PCB走线）
6.0毫瓦
1.2
mH
+
1200
mF/10
V
×
5
V
CC
1.0
mF
1200
mF/10
V
×
3
V
门（H）的
Si4410DY
V
ID1
CS5165A
V
ID2
V
ID3
V
ID4
330 pF的
C
关闭
SS
COMP
0.1
mF
V
门（L）的
保护地
启用
PWRGD
V
FB
LGND
1000 pF的
Si9410DY
V
SS
启用
PWRGD
奔腾II
系统
3.3 k
0.1
mF
V
ID4
V
ID3
V
ID2
V
ID1
V
ID0
图28.附加的应用框图， 5.0 V至2.8 V @ 14.2 300 MHz奔腾II
http://onsemi.com
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