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CS5101A CS5102A
电容器表现出小于2的阻抗
at
频率高于16千赫兹。高品质
钽电容器并联以较小ceram-
IC电容建议。
峰值在参考的输出阻抗
发生的原因的电容性负载在其输出端。
可能发生的问题可以通过减小任何峰
将串联一个小电阻与电容
器。在图11中的公式可用于帮助
计算特定R的最佳值
参考。术语“F
PEAK
“是的频率
峰在参考的输出阻抗BE-
脱颖而出的电阻增加。
+ V
ee
6.2
模拟输入连接
的模拟输入端的功能类似于
切换时，每次转换后输入VREF
进入跟踪模式。在最初的六大高手
在跟踪模式下的时钟周期中，缓冲版本
的模拟输入端，用于粗充电
电容阵列。需要的额外时间
直接从AIN细充电，以获得试样
田间的准确性。图12示出此操作。能很好地协同
在电容器荷兰国际集团粗粒电荷的电荷
数组第一个落户的AN-的缓冲版本
考勤输入。这个电压可以从AC-偏移
图阿尔输入电压。在晴朗充电，充电
然后沉淀到准确的缓冲版本。
细电荷沉降被指定为最高的
1.125
s
（ CS5101A ）或5.625
s
（ CS5102A ）为
小于50的模拟信号源阻抗
.
在AD-
情况下，两个比较器都需要一个源阻抗
小于400 ANCE
约2 MHz的稳定。
源阻抗可以有效地减小
在高频率由电容加
AIN接地（一般为200 pF的） 。然而，高
直流电源电阻会增加输入的RC
时间常数，并延长了必要的采集
化时间。有关输入放大器的更多信息，
请参考应用笔记，
AN006 ，缓冲放大器CS5012A / 14 /16 / CS5101A /
CS5102A / CS5126系列的A / D转换器。
+2 0 0
C的内置哈耶错误（ LSB的）
+1 0 0
0
-1 00
-2 00
-3 00
C 0一RSE -C h的RG é
F INE -C小时的RG é
V
REF
10
F
0.01
F
20 V R ê F
21R的ê F B ü F
0.1
F
23 V A-
R*
（C S） 5101A
OR
（C S） 5102a若
-5V
1
-
R
= ---------------------------------------------------------------
(
2π
(
C1
+
C2
)
FPEAK
)
图11.基准连接
该CS5101A和CS5102A可以与操作
宽范围的基准电压，而是信号对
噪声性能是通过使用宽最大化
信号范围成为可能。该建议为参考
ENCE电压为4.5伏。该CS5101A及
CS5102A其实可以接受的参考电压高达
到正模拟电源。然而，缓冲器的
偏移量可能会增加作为参考电压AP-
proaches VA +从而增加外部驱动器重新
quirements在VREF 。一个4.5V的参考是
最大参考电压建议。这AL-
低点0.5V余量为内部参考缓冲的
呃。另外，缓冲器征外部的辅助
0.1
F
陶瓷电容必须绑BE-
吐温其输出， REFBUF和负模拟
供应VA- 。有关引用的更多信息，
咨询应用笔记
AN004 ，电压基准为CS5012A / CS5014 / CS5016 /
CS5101A / CS5102A / CS5126系列的A / D转换器。
-4 00
8 M·H z对于C罗CK 0 0.2 5
2.0 M·H z对于C锁
1.0
0 .5
2 .0
一个cquisition蒂姆· E（美国）
0 .7 5
3 .0
1 .0
4 .0
图12.充电稳定时间
6.3
睡眠模式操作
该CS5101A及CS5102A包括SLEEP引脚。
睡眠时有效（低）每个设备都会耗散
颈部非常低的功率，以保持其校准memo-
24
DS45F6
