20
t帕金森病，传播延迟（ns ）
V
CC
= 5 V
T
A
= 25°C
LS00
16
12
t
PLH
8
t
PHL
4
0
20
40
60
80
100
C
L
负载电容（PF ）
*对于图11的数据是采取只有一个输出切换的时间。
图11. *
ESD特性
对静电放电（ESD ）敏感度
使用多个半导体TTL的特点
方法（ HBM ， MM ， CDM） 。这是非常
重要的是要单独理解ESD敏感度值
没有足够的设备进行比较的时候。在试图
减少各种试验件之间的相关性问题
设备，所有这些都符合MIL-STD- 883C的要求，
测试的具体信息以及实际设备的ESD
硬度水平列于受控文件，并且
可根据要求提供。的持续改进
通过安森美半导体的重新设计的ESD敏感度
TTL导致最小的ESD等级，对所有新
产品和>3500伏LS的重新设计。对于设备
具体数值请参考以下说明：
LS ： 12MRM 93831A
http://onsemi.com
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