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D A T A
中文ê （E T）
DC特性
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
活跃的跨页读电流
（注1,2 ）
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
;
A9 ， OE ＃ ， RESET ＃ = 11 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
1兆赫
10兆赫
2.5
24
15
0.2
0.1
民
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
3
28
30
5
5
单位
A
A
A
mA
mA
A
A
V
CC
活跃的写入电流（注2,3） CE ＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
V
CC
待机电流（注2 ）
V
CC
复位电流（注2 ）
V
CC
自动睡眠模式电流
（注2,4）
V
CC
活跃的同时读 - 计划
电流（注1 ， 2 ， 5 ）
V
CC
活跃的同时读 - 擦除
电流（注1 ， 2 ， 5 ）
V
CC
活跃
程序在擦除暂停的
电流（注2 ）
V
CC
活跃的内页读取电流
WP ＃ / ACC加速计划
当前
输入低电压
输入高电压
电压WP ＃ / ACC部门
保护/撤消和程序
促进
V
CC
= 1.8–2.2 V
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±
0.3 V
WP ＃ / ACC = V
CC
±
0.3 V,
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
CE＃ = V
SS
±
0.3 V;
RESET ＃ = V
CC
±
0.3 V,
V
IN
= V
CC
±
0.3 V或V
SS
±
0.3 V
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
I
CC5
0.2
5
A
I
CC6
I
CC7
30
30
55
55
mA
mA
I
CC8
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
10兆赫
20兆赫
17
0.5
1
12
–0.5
0.8× V
CC
8.5
35
1
2
20
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 0.3
12.5
mA
I
CC9
I
加
V
IL
V
IH
V
加
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
mA
mA
V
V
V
V
CC
= V
CCmax
， WP ＃ / ACC = V
ACCMax
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
电压自动选择和临时
V
CC
= 1.8–2.2 V
部门撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= –100 A
9
11
0.1
V
V
V
V
CC
– 0.1
1.2
1.5
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2.
3.
4.
5.
我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
自动休眠模式可以在地址保持稳定150纳秒的低功耗模式。
嵌入式算法（编程或擦除）正在进行中（频率为8 MHz ） 。
32
Am29PDS322D
2006年23569A5 12月4日，
