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8兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
EOL数据表
产品订购信息
SST
39
XX
VF
080
XX XXXX
- 70
- XXX
-
-
4C
XX
- B3K
- XXX
E
X
环境属性
E =非铅
包修改
I = 40引线
K = 48球
套餐类型
B3 = TFBGA封装（ 0.8mm间距， 6× 8毫米）
E = TSOP （类型1 ，死了， 10毫米x10 20毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
55 = 55 ns的
70 = 70纳秒
90 = 90纳秒
器件密度
080 = 8兆位
电压
L = 3.0-3.6V
V = 2.7-3.6V
产品系列
39 =多用途闪存
有效组合SST39LF080
SST39LF080-55-4C-EI
SST39LF080-55-4C-EIE
SST39LF080-55-4C-B3K
SST39LF080-55-4C-B3KE
有效组合SST39VF080
SST39VF080-70-4C-EI
SST39VF080-70-4C-EIE
SST39VF080-90-4C-EI
SST39VF080-90-4C-EIE
SST39VF080-70-4I-EI
SST39VF080-70-4I-EIE
SST39VF080-90-4I-EI
SST39VF080-90-4I-EIE
SST39VF080-70-4C-B3K
SST39VF080-70-4C-B3KE
SST39VF080-90-4C-B3K
SST39VF080-90-4C-B3KE
SST39VF080-70-4I-B3K
SST39VF080-70-4I-B3KE
SST39VF080-90-4I-B3K
SST39VF080-90-4I-B3KE
注意：
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2007硅存储技术公司
S71146-07-EOL
6/07
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