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FlashFlex MCU
SST89E52RC / SST89E54RC
数据表
3.0存储器
该器件具有用于程序独立的地址空间，
数据存储器。
当指令访问地址的高128
个字节（上面7FH ）时，MCU确定是否
按给定的指令类型访问SFR或RAM 。如果
这是间接的，则访问RAM 。如果它是直接的，则一个
SFR访问。请参见下面的实施例。
间接访问：
MOV
@ R0 ， #data
; R0包含90H
3.1闪存程序存储器
有两种内置闪存分区中
装置。主要的闪存分区（分区0 ）有
16/8 K字节。二级闪存分区（分区程序
化1）具有1K字节。二者的总的闪存空间
分区可以作为一个连续的代码存储。
在16K / 8K ×8的主闪存分区组织为128 /
64个扇区，每个扇区包括128个字节。主
分区被分为四个逻辑页中所示图 -
URE 3-2
在1K X8二级闪存分区组织为8节
器，每个扇区也包含128个字节。
为两个分区，则7至少显著程序地址
位选择行业内的字节。所述的其余
项目地址位选中该分区中的部门。
寄存器R0指向90H ，位于上
地址范围。在“ #data ”的数据被写入到RAM中的位置
90H ，而不是端口1 。
直接访问：
MOV
90H ， #data
;写数据到P1
在“ #data ”的数据被写入到端口1说明了写
直接把地址写的SFR 。
要访问扩展内存， EXTRAM位必须是
清零和MOVX指令必须被使用。额外
256字节的存储器在物理上位于所述芯片上和
逻辑上占用的前256个字节的外部存储器
（地址000H为FFH ） 。
当EXTRAM = 0 ，扩展RAM是间接
组合使用MOVX指令寻址
与任何寄存器R0 ，所选择的银行或R1
DPTR 。访问扩展内存，不影响
P0口， P3.6 （ WR ＃ ） ， P3.7 （ RD ＃ ） ，或P2 。同
EXTRAM = 0 ，扩展RAM可以访问，
在下面的例子。
扩展RAM访问（只能间接寻址） ：
MOVX
@ DPTR ，A
; DPTR包含0A0H
3.2数据RAM存储器
数据RAM有512字节的内部存储器。第一
256字节是默认提供的。第二个256字节
通过清除AUXR EXTRAM位使能稳压
存器。该RAM可寻址高达64 K字节的克斯特
内部数据存储器。
3.3扩展数据RAM寻址
该SST89E5xRC有512字节的能力
内存。参见图3-1 。
该装置具有四个部分的内部数据存储器：
1.低128字节RAM（ 00H到7FH）可
直接或间接寻址。
2.高128字节RAM （ 80H到FFH）
间接寻址。
3.特殊功能寄存器（ 80H到FFH）
只可直接寻址。
4. 256字节扩展RAM （ 00H到FFH ）是
外部此举间接寻址
指令（ MOVX ）和清除EXTRAM位。
（参见“辅助寄存器（ AUXR ） ”中第3.5节
“特殊功能寄存器” ）
由于高128字节的RAM占用相同的地址
特殊功能寄存器，在内存必须间接访问。拉姆
和SFR的空间在物理上分开，即使它们
有相同的地址。
2007硅存储技术公司
DPTR指向0A0H和数据中的“ A”被写入地址
0A0H扩展RAM ，而不是外部存储器。
访问外部存储器高于使用的FFH
MOVX指令访问外部存储器（ 0100H到
FFFFH ），并以同样的方式为标准进行
8051 ， P0和P2口作为数据/地址总线和P3.6和
P3.7作为写入和读出时序信号。
当EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR会
类似于标准8051使用MOVX @Ri亲
志愿组织与端口0上的复用数据的8位地址。
其他输出端口的引脚可以用来输出高阶
地址位。这提供了外部分页功能。
使用MOVX @DPTR产生一个16位的地址。这
允许外部解决了64K 。端口2提供
高8位地址（ DPH ） ， P0口复用
为低8位地址（ DPL ）的数据。两
MOVX @Ri和MOVX @DPTR生成必要的
S71259-04-000
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