FlashFlex MCU
SST89E52RC / SST89E54RC
数据表
读写信号（ P3.6 - WR ＃和P3.7 - RD ＃ ）为
外部存储器使用。表3-1显示了外部数据存储器
储器RD ＃ ，与EXTRAM位WR ＃操作。
堆栈指针（SP）可以内位于任何地方
256字节的内部RAM （低128字节和高128
个字节）。堆栈指针可以不位于任何部分
扩展RAM 。
表
3-1 ：外部数据存储器RD ＃ ， WR ＃与EXTRAM位
MOVX @ DPTR ， A或MOVX A ， @ DPTR
MOVX @Ri ， A或MOVX A ， @Ri
ADDR = ANY
RD ＃ / WR ＃不能断言
1
RD ＃ / WR ＃断言
T3-1.0 1259
AUXR
EXTRAM = 0
EXTRAM = 1
ADDR < 0100H
RD ＃ / WR ＃不能断言
RD ＃ / WR ＃断言
ADDR > = 0100H
RD ＃ / WR ＃断言
RD ＃ / WR ＃断言
1.访问仅限于ERAM地址在0 0FFH 。
FFH
FFH
（间接寻址）
FFH
（直接寻址）
特别
功能
注册
（ SFR）的
扩大
内存
256字节
80H
7FH
高128字节
内部RAM
低128字节
内部RAM
80H
（间接寻址）
000H
00H
（间接&直接
寻址）
FFFFH
（间接寻址）
FFFFH
（间接寻址）
外
数据
内存
外
数据
内存
0100H
FFH
扩展RAM
000H
EXTRAM = 0
0000H
EXTRAM = 1
1259 F01.0
科幻gure
3-1 ：内部和外部数据存储器结构
S71259-04-000
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2007硅存储技术公司
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