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ATmega640/1280/1281/2560/2561
表6 。
EEPROM模式位
EEPM1
0
0
1
1
EEPM0
0
1
0
1
程序设计
时间
3.4毫秒
1.8毫秒
1.8毫秒
–
手术
擦除和
写
在一个操作（原子操作）
仅删除
写
只
留作将来使用
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
写作
EERIE后使能EEPROM准备好中断若SREG的I置位。
写作
EERIE则禁止中断。 EEPROM就绪中断产生
当EEPE被清除恒中断。
位2 - EEMPE ： EEPROM主机编程使能
在EEMPE位决定EEPE设置一个是否会导致EEPROM是
写的。
当
EEMPE被置位，在四个时钟周期内设置EEPE将数据写入
EEPROM的指定地址;若EEMPE为零，设置EEPE将没有任何效果。
当
EEMPE被写入到一个由软件，硬件清零后，该位为零
4个时钟周期。看到EEPE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEPE ： EEPROM编程使能
该EEPROM
写
使能信号EEPE是写选通到EEPROM中。
当
地址和数据的设置是否正确，对EEPE位必须写入到一个写
值到EEPROM 。在EEMPE位必须写入到一个逻辑之一就是前
写EEPE ，否则EEPROM写操作为止。下面的过程
应遵循当写入EEPROM中（步骤3和4的顺序并不
必需） ：
1.
等待
直到EEPE变为零。
2.
等待
直到SPMCSR寄存器的SPMEN为零。
3.
写
新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.
写
新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.
写
逻辑一到EEMPE位在写一个零EECR到EEPE 。
6.
内
4个时钟周期设置EEMPE之后，写了一个合乎逻辑的一个EEPE 。
该EEPROM不能在CPU写Flash存储器的过程中进行编程。该
软件必须检查Flash编程结束开始新的前
EEPROM写。如果该软件包含引导程序，允许第2步是唯一的相关
在CPU对Flash进行编程。如果Flash是永远不会被通过CPU进行更新，步骤2
可以省略。请参见“存储器编程” 342页上有关引导信息
编程。
注意事项：
步骤5和6之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM主机
写
启用将超时。如果一个中断程序访问
EEPROM是打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR注册会
修改，引起EEPROM操作失败。建议有
在所有的步骤，以避免这些问题的全局中断标志清除。
当
写访问时间结束， EEPE位由硬件清零。用户
软件可以查询该位，并等待一个零写入下一个字节之前。
当
EEPE
已定， CPU会停止两个时钟周期的下一条指令执行之前。
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2549K–AVR–01/07
