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注册说明
EEPROM寄存器
EEARH和EEARL - 中
EEPROM地址寄存器
位
0x22 (0x42)
0x21 (0x41)
15
–
EEAR7
7
14
–
EEAR6
6
R
读/写
0
X
13
–
EEAR5
5
R
读/写
0
X
12
–
EEAR4
4
R
读/写
0
X
11
EEAR11
EEAR3
3
读/写
读/写
X
X
10
EEAR10
EEAR2
2
读/写
读/写
X
X
9
EEAR9
EEAR1
1
读/写
读/写
X
X
8
EEAR8
EEAR0
0
读/写
读/写
X
X
EEARH
EEARL
读/写
R
读/写
初始值
0
X
位15:12 - Res：保留位
这些位为保留位，读返回值为零。
位11 ： 0 - EEAR8 ： 0 ： EEPROM地址
EEPROM地址寄存器 - EEARH和EEARL指定的EEPROM地址
在4K字节的EEPROM空间。 EEPROM中的数据地址是线性的
介于0和4096 EEAR的初始值是不确定的。一个适当的值必须是
写入EEPROM中可被访问之前。
EEDR - EEPROM数据
注册
位
0x20 (0x40)
读/写
初始值
7
最高位
读/写
0
6
5
4
3
2
1
0
最低位
EEDR
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
位7 ： 0 - EEDR7 ： 0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
在EEPROM中的寄存器EEAR给出的地址。对于EEPROM读操作
ATION ， EEDR是包含从EEPROM中读出由下式给出的地址中的数据
EEAR 。
EECR - EEPROM控制
注册
位
为0x1F （ 0x3F之间）
读/写
初始值
7
–
R
0
6
–
R
0
5
EEPM1
读/写
X
4
EEPM0
读/写
X
3
EERIE
读/写
0
2
EEMPE
读/写
0
1
EEPE
读/写
X
0
EERE
读/写
0
EECR
位7 ： 6 - Res：保留位
这些位为保留位，读返回值为零。
位5,4 - EEPM1和EEPM0 ： EEPROM编程模式位
该EEPROM编程模式位的设置决定对编程的行动，
EEPE写入时被触发。它可以编程在一个原子操作数据
（擦除旧值，并写入新值）或将擦除和
写
操作
系统蒸发散在两种不同的操作。编程时间对于不同的模式
如表6所示。
而
EEPE设置，任何写EEPMn将被忽略。在复位过程中，
EEPMn位将复位为0b00 ，除非EEPROM处于编程。
32
ATmega640/1280/1281/2560/2561
2549K–AVR–01/07
