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AT89C5132
7.程序/代码存储器
在AT89C5132实现片上程序/代码存储器的64K字节。如图7-1所示
拆分取决于产品的内部和外部程序/代码存储器空间。
该闪存在电路中的电擦除和增加EPROM和ROM功能
编程。需要进行编程或擦除闪存单元的高压产生的导通
芯片采用标准的V
DD
电压时,得以实现的内部电荷泵。因此,该
AT89C5132可以仅使用一个电压进行编程,并允许在应用软件提
编程。硬件编程模式,也可以使用通用的编程工具。
请参阅应用笔记“规划T89C51x和AT89C51x与器件编程器” 。
在AT89C5132实现片上引导闪存中提供额外的4K字节
闪存。这种引导存储器在出厂时编程标准的引导程序软件
允许在系统编程( ISP) 。它也包含了一些应用程序编程接口
面( API ) ,允许在应用编程( IAP)通过用户自己的引导程序。
图7-1 。
程序/代码存储器组织
FFFFH
F000h
FFFFH
F000h
4K字节
引导闪存
64K字节
代码闪存
0000h
7.1
闪存架构
如图7-2中的AT89C5132的Flash存储器由四个空格中详细介绍的
下面的段落中。
图7-2 。
AT89C5132内存架构
硬件安全
额外的行
FFFFH
FFFFH
4K字节
F000h
FL灰内存
BOOT
64K字节
用户
FL灰内存
0000h
17
4173E–USB–09/07