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IDT71V433
32K ×32 ， 3.3V同步SRAM与流程，通过输出
商用和工业温度范围
绝对最大额定直流电压
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.2
50
单位
V
V
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
V
DDQ
3.3V+10/-5% 3.3V+10/-5%
3.3V+10/-5% 3.3V+10/-5%
3729 TBL 03
C
C
C
o
W
mA
3729 TBL 05
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
DDQ
参数
核心供电电压
I / O电源电压
分钟。
3.135
3.135
0
2.0
(1)
–0.5
(3)
典型值。
3.3
3.3
0
____
____
马克斯。
3.63
3.63
0
V
DDQ
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
V
3729 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
DD
, V
DDQ
输入端而已。
3. I / O端子。
V
SS,
V
SSQ
地
V
IH
V
IL
输入高电压
输入低电压
注意事项：
1. V
IH
和V
IL
所指示的是对于输入和I / O引脚。
2. V
IH
（最大值） = 6.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
3. V
IL
（分钟） = -1.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
电容
符号
C
IN
C
I / O
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， TQFP封装）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
4
8
单位
pF
pF
3729 TBL 06
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
4
