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IDT72V3656 / 72V3666 / 72V3676 3.3V CMOS三路BUS SyncFIFO
TM
与总线匹配2048 ×36× 2 ， 4096 ×36× 2和8192 ×36× 2
商业级温度范围
t
CLK
t
CLKH
CLKA
CSA
W / RA
工商管理硕士
ENA
全民教育
A0-A35
高
低
低
低
t
ENS2
t
ENH
t
CLKL
t
A
下一个字从FIFO2
上一个单词FIFO2输出寄存器
t
SKEW1
(1)
CLKC
FFC
FIFO2全部
t
CLKH
1
t
CLK
t
CLKL
2
t
WFF
t
ENS2
t
WFF
t
ENH
MBC
t
ENS2
ENC
t
DS
C0-C17
写
到FIFO2
4665 drw24
t
ENH
t
DH
t
DS
t
DH
注意事项：
1. t
SKEW1
是上升CLKA边缘，上升CLKC边缘的之间的最小时间
FFC
变为高电平，在未来CLKC周期。如果上升CLKA边缘，上升之间的时间
CLKC边缘小于吨
SKEW1
，然后
FFC
可以转换高一CLKC周期晚于所示。
2.如果端口C的大小是字或字节，
FFC
置为低电平的最后一个字或长字的字节写入，分别为（字大小的情况下被示出）。
图23 。
FFC
旗时间和第一个可用的时候写FIFO2已满（ IDT标准模式）
CLKA
t
ENS2
ENA
t
SKEW2
CLKB
AEB
(1)
t
ENH
1
在FIFO1 X1字
2
t
PAE
在FIFO1 （ X1 + 1 ）词
t
PAE
t
ENS2
t
ENH
RENB
4665 DRW 25
注意事项：
1. t
SKEW2
是上升CLKA边缘，上升CLKB边缘的之间的最小时间
AEB
变为高电平，在未来CLKB周期。如果上升CLKA边缘，上升之间的时间
CLKB边缘小于吨
SKEW2
，然后
AEB
可以转换高一CLKB周期晚于所示。
2. FIFO1写（ CSA =低， W / RA =低， MBA = LOW ） ， FIFO1读（ CSB =低， MBB = LOW ） 。在FIFO1输出寄存器中的数据已被从FIFO中读出。
3.如果端口B的大小是字或字节，
AEB
被设置为低电平，从FIFO1读最后一个字或字节分别。
图24.时序
AEB
当FIFO1是几乎空（ IDT标准和FWFT模式）
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