IDT72V3612 3.3V ， CMOS SyncBiFIFO
TM
64 x 36 x 2
商业级温度范围
CLKB
t
ENS2
ENB
t
SKEW2
CLKA
AEA
ENA
4659 DRW 15
(1)
t
ENH2
1
在FIFO2 X字
2
t
PAE
在FIFO2 （ X + 1 ）词
t
PAE
t
ENS2
t
ENH2
注意事项：
1. t
SKEW2
是上升CLKB优势和上升CLKA边缘的之间的最小时间
AEA
变为高电平，在未来CLKA周期。如果上升CLKB边缘之间的时间
上升CLKA边缘小于吨
SKEW2
，然后
AEA
可以转换高一CLKA周期晚于所示。
2. FIFO2写（ CSB =低， W / RB = HIGH ， MBB = LOW ） ， FIFO2阅读（ CSA =低， W / RA =低， MBA = LOW ） 。
图12.时序
AEA
当FIFO2几乎是空的
t
SKEW2
CLKA
t
ENS2
ENA
t
PAF
AFA
CLKB
t
ENS2
ENB
[ 64-（ X + 1 ） ]词FIFO1
t
ENH2
(1)
1
2
t
PAF
（ 64 -X ）词FIFO1
t
ENH2
4659 DRW 16
注意事项：
1. t
SKEW2
是上升CLKA边缘，上升CLKB边缘的之间的最小时间
AFA
变为高电平，在未来CLKA周期。如果上升CLKA边缘之间的时间
上升CLKB边缘小于吨
SKEW2
，然后
AFA
可以转换高一CLKA周期晚于所示。
2. FIFO1写（ CSA =低， W / RA = HIGH ， MBA = LOW ） ， FIFO1读（ CSB =低， W / RB =低， MBB = LOW ） 。
图13.时序
AFA
当FIFO1几乎满
(1)
t
SKEW2
CLKB
t
ENS2
ENB
空军基地
CLKA
t
ENS2
ENA
t
PAF
[ 64-（ X + 1 ） ]词FIFO2
t
ENH2
1
2
t
PAF
（ 64 -X ）词FIFO2
t
ENH2
4659 DRW 17
注意事项：
1. t
SKEW2
是上升CLKB优势和上升CLKA边缘的之间的最小时间
空军基地
变为高电平，在未来CLKB周期。如果上升CLKB边缘之间的时间
上升CLKA边缘小于吨
SKEW2
，然后
空军基地
可以转换高一CLKB周期晚于所示。
2. FIFO2写（ CSB =低， W / RB = HIGH ， MBB = LOW ） ， FIFO2阅读（ CSA =低， W / RA =低， MBA = LOW ） 。
图14.时序
空军基地
当FIFO2几乎爆满
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