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ISL6612A ， ISL6613A
数据表
2006年7月27日
FN9159.6
先进的同步整流降压
与预POR过压保护MOSFET驱动器
该ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612A驱动上部栅极至12V，而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6613A驱动上下两个门上
范围为5V至12V 。这种驱动电压提供
必要的灵活性，以优化涉及与贸易应用
栅极电荷和导通损耗之间的平衡。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （ S）初始启动过程中短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家庭
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（高达2MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线（ DFN ）封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介TB417的动力传动系设计，布局
指引和反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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