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ISL6612A ， ISL6613A
电气规格
参数
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE导通传播延迟（注4 ）
LGATE导通传播延迟（注4 ）
UGATE关断传播延迟（注4 ）
LGATE关断传播延迟（注4 ）
LG / UG三态传输延迟（注4 ）
输出（注4 ）
上驱动源电流
上驱动源阻抗
上驱动灌电流
上驱动转型水槽阻抗
上驱动直流阻抗汇
降低驱动源电流
降低驱动源阻抗
下驱动灌电流
下驱动水槽阻抗
注意：
4.通过设计保证。不是100 ％生产测试。
I
U_SOURCE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
-
1.25
-
-
0.9
-
0.85
-
0.60
1.25
2.0
2
1.3
1.65
2
1.25
3
0.80
-
3.0
-
2.2
3.0
-
2.2
-
1.35
A
A
A
A
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
t
PDHL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDTS
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载，自适应
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载，自适应
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
VCC = 12V
VCC = 12V
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
3.20
2.60
245
26
18
18
12
10
10
10
10
10
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
U_SOURCE
150毫安源电流
I
U_SINK
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
R
U_SINK_TR
为70ns相对于PWM降
R
U_SINK_DC
150毫安源电流
I
L_SOURCE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
R
L_SOURCE
150毫安源电流
I
L_SINK
R
L_SINK
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
150毫安灌电流
功能引脚说明
封装引脚＃
SOIC
1
2
DFN
1
2
针
符号
UGATE
BOOT
功能
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部自举
在说明的指导，选择电容值器件部分。
无连接。
PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看看
根据描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到的PWM输出
控制器。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的动力接地回路。
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚提供电源给在ISL6613A上下两个栅极驱动器;只有在ISL6612A低侧栅极驱动器。
它的工作范围为+ 5V至12V 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供
返回路径的上部栅极驱动器。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ） 。
-
3
3, 8
4
N / C
PWM
4
5
6
7
8
9
5
6
7
9
10
11
GND
LGATE
VCC
PVCC
相
PAD
6
FN9159.6
2006年7月27日
