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MBM29SL800TE/BE
-90/10
RY / BY
就绪/忙
该MBM29SL800TE / BE提供了一个RY / BY开漏输出引脚，以此来表示对主机系统
所述嵌入式算法是正在进行或已经完成。如果输出为低时，器件
忙于无论是编程或擦除操作。如果输出为高，该装置已准备好接受任何
读/写或擦除操作。如果MBM29SL800TE / BE被置于擦除挂起模式时， RY / BY
输出是高的。
在编程期间， RY / BY引脚之后的第四WE脉冲的上升沿驱动为低电平。在擦除
操作中， RY / BY引脚后6个WE脉冲的上升沿驱动为低电平。该RY / BY引脚将指示
复位脉冲在繁忙的状态。请参阅“ RY / BY在编程/擦除操作时序图
时序图“和” RESET ， RY / BY的时序图“
sTIMING
示意图详细的时序图。
该RY / BY引脚拉高处于待机模式。
因为这是一个开放漏极输出时，上拉电阻需要连接到V
CC
;设备的倍数可能
经由一个以上的RY /并行地连接到主机系统按销。
字节/字CON组fi guration
BYTE引脚选择字节（ 8位）模式或字（ 16位）模式的MBM29SL800TE / BE的设备。当
该引脚驱动为高电平时，器件的字（16位）模式下运行。的数据被读出并在DQ的编程
15
到DQ
0
。当该引脚为低电平时，器件工作在字节（ 8位）模式。在这种模式下，为DQ
15
/A-
1
针
成为最低地址位和DQ
14
到DQ
8
位处于三态。但是，命令总线周期始终
一个8位的操作，因此命令被写在DQ
7
到DQ
0
和DQ
15
到DQ
8
位被忽略。
数据保护
该MBM29SL800TE / BE的目的是提供保护，防止意外删除或编程引起的
通过系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。在上电期间设备automat-
ically复位内部状态机在读取模式。另外，对于其控制寄存器结构，变更
存储器内容只能成功完成特定的多总线周期的命令序列后发生。
该器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
如果嵌入式擦除算法被中断时，有可能在擦除扇区（多个）不能使用。
写脉冲“毛刺”保护
不到3纳秒（典型值）的OE脉冲噪声，CE ，否则我们将不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是通过举办OE中的任何一个抑制
=
V
IL
，CE
=
V
IH
还是我们
=
V
IH
。要启动一个写周期CE和WE
必须是逻辑零，而OE是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
接通电源启动WE的装置的
=
CE
=
V
IL
和OE
=
V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位到上电时读取模式。
扇区保护
设备用户能够单独保护每个扇区存储和保护数据。保护电路既空洞
编程和擦除寻址到保护部门的命令。任何命令进行编程或擦除
给ptotected部门将被忽略。 （参见“行业Ptotection ”中的“S功能说明”）。
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