富士通半导体
数据表
DS05-20911-1E
FL灰内存
CMOS
8 M (1 M
×
8/512 K
×
16 ）位
MBM29SL800TE/BE
-90
/
10
s
描述
该MBM29SL800TE / BE是8 M位， 1.8 V ，仅限于Flash组织为1兆字节的8位或每512内存
每个16位的K字。该MBM29SL800TE / BE都在48球FBGA封装，45球SCSP封装。
这些设备被设计成在系统编程与标准体系1.8 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
最大地址访问时间
最大CE访问时间
最大OE访问时间
90纳秒
90纳秒
30纳秒
MBM29SL800TE/BE-90
MBM29SL800TE/BE-10
100纳秒
100纳秒
35纳秒
1.65 V至1.95 V
s
套餐
48球FBGA封装胶
45球塑料SCSP
(BGA-48P-M20)
(WLP-45P-M02)
MBM29SL800TE/BE
-90/10
（续）
标准MBM29SL800TE / BE报价访问时间90 ns到100 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有独立的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该器件支持引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除时，设备会自动时间擦除脉冲宽度并确认电池
利润率。
每个扇区通常被擦除并在1.5秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29SL800TE / BE是从出厂时被删除
工厂。
这些器件具有用于读取和写入功能，采用1.8 V单电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，该装置在内部返回到读模式。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29SL800TE / BE的记忆电擦除
整个芯片或通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。字节/字是亲
编程一个字节/字在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
2
MBM29SL800TE/BE
-90/10
s
特点
0.23
米制程技术
采用1.8 V单读，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48球FBGA （包后缀： PBT ）
45球SCSP （包后缀： PW ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
90 ns最大访问时间
扇区擦除架构
一个8千字，两个4千字， 1个16 K字，并在字模式15 32 K字部门
一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而15 64千字节扇区的字节模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
引导代码部门架构
T
=
热门行业
B
=
底部部门
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
READY / BUSY输出
（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动休眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
通过扩展行业保护命令扇区保护设置功能
通过扩展指令快速编程功能
临时机构unprotection的
通过RESET引脚临时机构解除保护
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
3
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